Analisi dei parametri e misura dei MOSFET

Esistono molti tipi di parametri principali diMOSFET, che contengono corrente CC, parametri di corrente CA e parametri limite, ma l'applicazione generale deve preoccuparsi solo dei seguenti parametri di base: stato di saturazione della corrente della sorgente di dispersione, tensione di pinch-off IDSS Up, transconduttanza gm, tensione di rottura della sorgente di dispersione BUDS, la maggiore perdita di potenza in uscita PDSM e la maggiore corrente di dispersione IDSM.

1.Corrente dispersa saturata

La corrente drain-source satura IDSS indica la corrente drain-source alla tensione di gate UGS = 0 nei MOSFET con gate a strato isolato di tipo a giunzione o esaurimento.

2. Tensione di interruzione

La tensione di pinch-off UP indica la tensione operativa della tensione di gate in un gate a strato isolato di tipo a giunzione o esaurimentoMOSFETciò rende la fonte di drenaggio semplicemente interrotta. Scopri cosa significano effettivamente IDSS e UP.

3、Attivare la tensione

La tensione di accensione UT indica la tensione operativa della tensione di gate in un MOSFET a gate isolato rinforzato in modo che l'interconnessione drain-source sia appena attivata. Scopri cosa significa realmente UT.

4. Guida incrociata

La transguida gm viene utilizzata per indicare la capacità della tensione del gate source di controllare la corrente di drain, ovvero il rapporto tra la variazione della corrente di drain e la variazione della tensione del gate source.

5、Perdita massima di potenza in uscitar

Al parametro limite appartiene anche la massima potenza di perdita in uscita, che significa la massima potenza di perdita drain-source che può essere consentita quando le prestazioni delMOSFETè normale e inalterato. Quando utilizziamo il MOSFET, la sua perdita funzionale dovrebbe essere inferiore al PDSM e un certo valore.

6、Corrente massima della sorgente di dispersione

Anche la corrente massima drain-source, IDSM, è un parametro limitante, ovvero la corrente massima consentita per il passaggio tra drain e source di un MOSFET durante il normale funzionamento e non deve essere superata quando il MOSFET è in funzione.

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