Questo è un pacchettoMOSFETsensore infrarosso piroelettrico. La cornice rettangolare è la finestra di rilevamento. Il pin G è il terminale di terra, il pin D è il drain del MOSFET interno e il pin S è la sorgente del MOSFET interno. Nel circuito, G è collegato a terra, D è collegato all'alimentazione positiva, i segnali infrarossi vengono immessi dalla finestra e i segnali elettrici vengono emessi da S.
Porta del giudizio G
Il driver MOS svolge principalmente il ruolo di modellamento della forma d'onda e di miglioramento della guida: se la forma d'onda del segnale G delMOSFETnon è abbastanza ripido, causerà una grande perdita di potenza durante la fase di commutazione. Il suo effetto collaterale è quello di ridurre l'efficienza di conversione del circuito. Il MOSFET avrà una forte febbre e verrà facilmente danneggiato dal calore. C'è una certa capacità tra i MOSFETGS. , se la capacità di pilotaggio del segnale G è insufficiente, ciò influenzerà seriamente il tempo di salto della forma d'onda.
Cortocircuitare il polo GS, selezionare il livello R×1 del multimetro, collegare il puntale nero al polo S e il puntale rosso al polo D. La resistenza dovrebbe essere compresa tra pochi Ω e più di dieci Ω. Se si constata che la resistenza di un certo pin e dei suoi due pin è infinita, ed è ancora infinita dopo aver scambiato i puntali, si conferma che questo pin è il polo G, perché è isolato dagli altri due pin.
Determinare la sorgente S e il drenaggio D
Imposta il multimetro su R×1k e misura rispettivamente la resistenza tra i tre pin. Utilizzare il metodo del puntale scambiato per misurare la resistenza due volte. Quella con un valore di resistenza inferiore (generalmente da poche migliaia Ω a più di diecimila Ω) è la resistenza diretta. A questo punto, il puntale nero è il polo S e il puntale rosso è collegato al polo D. A causa delle diverse condizioni di test, il valore RDS(on) misurato è superiore al valore tipico fornito nel manuale.
DiMOSFET
Il transistor ha un canale di tipo N quindi è chiamato canale NMOSFET, ONMOS. Esiste anche un FET MOS a canale P (PMOS), che è un PMOSFET composto da un BACKGATE di tipo N leggermente drogato e da un source e drain di tipo P.
Indipendentemente dal MOSFET di tipo N o di tipo P, il suo principio di funzionamento è essenzialmente lo stesso. MOSFET controlla la corrente al drain del terminale di uscita tramite la tensione applicata al gate del terminale di ingresso. MOSFET è un dispositivo controllato in tensione. Controlla le caratteristiche del dispositivo attraverso la tensione applicata al gate. Non provoca l'effetto di accumulo di carica causato dalla corrente di base quando un transistor viene utilizzato per la commutazione. Pertanto, nel passaggio da un'applicazione all'altra,MOSFETdovrebbe commutare più velocemente dei transistor.
Il FET prende il nome anche dal fatto che il suo ingresso (chiamato gate) influenza la corrente che scorre attraverso il transistor proiettando un campo elettrico su uno strato isolante. Infatti, attraverso questo isolante non scorre corrente, quindi la corrente GATE del tubo FET è molto piccola.
Il FET più comune utilizza un sottile strato di biossido di silicio come isolante sotto il GATE.
Questo tipo di transistor è chiamato transistor a semiconduttore a ossido di metallo (MOS) o transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo (MOSFET). Poiché i MOSFET sono più piccoli e più efficienti dal punto di vista energetico, hanno sostituito i transistor bipolari in molte applicazioni.
Orario di pubblicazione: 10 novembre 2023
