Il MOSFET dell'inverter funziona in uno stato di commutazione e la corrente che scorre attraverso il MOSFET è molto elevata. Se il MOSFET non è selezionato correttamente, l'ampiezza della tensione di pilotaggio non è sufficientemente grande o la dissipazione del calore del circuito non è buona, il MOSFET potrebbe surriscaldarsi.
1, il riscaldamento MOSFET dell'inverter è serio, dovrebbe prestare attenzione aMOSFETselezione
I MOSFET nell'inverter nello stato di commutazione, generalmente richiedono una corrente di drain quanto più grande possibile, una resistenza on quanto più piccola possibile, in modo da poter ridurre la caduta di tensione di saturazione del MOSFET, riducendo così il MOSFET poiché il consumo, riduce il Calore.
Controlla il manuale del MOSFET, scopriremo che maggiore è il valore della tensione di tenuta del MOSFET, maggiore è la sua resistenza in conduzione, e quelli con corrente di drain elevata, valore della tensione di tenuta bassa del MOSFET, la sua resistenza in conduzione è generalmente inferiore a decine di milliohm.
Supponendo che la corrente di carico di 5 A, scegliamo l'inverter comunemente utilizzato MOSFETRU75N08R e può sopportare un valore di tensione di 500 V 840, la loro corrente di drain è di 5 A o più, ma la resistenza di accensione dei due MOSFET è diversa, guidano la stessa corrente , la loro differenza di calore è molto grande. La resistenza on del 75N08R è di soli 0,008 Ω, mentre la resistenza on dell'840. La resistenza on del 75N08R è solo 0,008 Ω, mentre la resistenza on dell'840 è 0,85 Ω. Quando la corrente di carico che scorre attraverso il MOSFET è 5 A, la caduta di tensione del MOSFET del 75N08R è di soli 0,04 V e il consumo del MOSFET del MOSFET è di soli 0,2 W, mentre la caduta di tensione del MOSFET dell'840 può arrivare fino a 4,25 W e il consumo di MOSFET arriva fino a 21,25 W. Da ciò si può vedere che la resistenza on del MOSFET è diversa dalla resistenza on del 75N08R e la loro generazione di calore è molto diversa. Minore è la resistenza on del MOSFET, migliore è la resistenza on del MOSFET, il tubo MOSFET con un consumo di corrente elevato è piuttosto grande.
2, il circuito di pilotaggio dell'ampiezza della tensione di pilotaggio non è sufficientemente grande
MOSFET è un dispositivo di controllo della tensione, se si desidera ridurre il consumo del tubo MOSFET, ridurre il calore, l'ampiezza della tensione di comando del gate MOSFET dovrebbe essere sufficientemente grande, portare il fronte dell'impulso a ripido, può ridurre ilMOSFETcaduta di tensione del tubo, riduzione del consumo del tubo MOSFET.
3, la dissipazione del calore del MOSFET non è una buona causa
Il riscaldamento del MOSFET dell'inverter è una cosa seria. Poiché il consumo del tubo MOSFET dell'inverter è elevato, il lavoro richiede generalmente un'area esterna sufficientemente ampia del dissipatore di calore e il dissipatore di calore esterno e il MOSFET stesso tra il dissipatore di calore devono essere in stretto contatto (generalmente richiesto di essere rivestito con materiale termicamente conduttivo grasso al silicone), se il dissipatore di calore esterno è più piccolo o se il MOSFET stesso non è abbastanza vicino al contatto del dissipatore di calore, potrebbe verificarsi il riscaldamento del MOSFET.
Riscaldamento inverter MOSFET serio ci sono quattro ragioni per la sintesi.
Il leggero riscaldamento del MOSFET è un fenomeno normale, ma il riscaldamento è serio e anche se il MOSFET viene bruciato, ci sono i seguenti quattro motivi:
1, il problema della progettazione del circuito
Lascia che il MOSFET funzioni in uno stato operativo lineare, anziché nello stato del circuito di commutazione. È anche una delle cause del riscaldamento del MOSFET. Se è l'N-MOS a effettuare la commutazione, la tensione di livello G deve essere di qualche V superiore a quella dell'alimentatore per essere completamente acceso, mentre il P-MOS è l'opposto. Non completamente aperto e la caduta di tensione è troppo grande con conseguente consumo energetico, l'impedenza CC equivalente è maggiore, la caduta di tensione aumenta, quindi aumenta anche U * I, la perdita significa calore. Questo è l'errore più evitato nella progettazione del circuito.
2, una frequenza troppo alta
Il motivo principale è che a volte la ricerca eccessiva del volume, con conseguente aumento della frequenza,MOSFETperdite ingenti, quindi anche il calore aumenta.
3, progettazione termica insufficiente
Se la corrente è troppo elevata, il valore della corrente nominale del MOSFET richiede solitamente una buona dissipazione del calore per essere raggiunto. Quindi l'ID è inferiore alla corrente massima, potrebbe anche surriscaldarsi notevolmente e necessitare di un dissipatore di calore ausiliario sufficiente.
4, la selezione del MOSFET è errata
Giudizio errato della potenza, la resistenza interna del MOSFET non viene pienamente considerata, con conseguente aumento dell'impedenza di commutazione.
Orario di pubblicazione: 19 aprile 2024
