Quello dell'inverterMOSFETfunzionano in uno stato di commutazione e la corrente che scorre attraverso i tubi è molto elevata. Se il tubo non è selezionato correttamente, l'ampiezza della tensione di pilotaggio non è sufficientemente grande o la dissipazione del calore del circuito non è buona, potrebbe causare il surriscaldamento del MOSFET.
1, il riscaldamento del MOSFET dell'inverter è serio, dovrebbe prestare attenzione alla selezione del MOSFET
I MOSFET nell'inverter nello stato di commutazione richiedono generalmente una corrente di drain quanto più elevata possibile, una resistenza ON quanto più piccola possibile, il che può ridurre la caduta di tensione di saturazione del tubo, riducendo così il tubo poiché il consumo, riduce il calore.
Controlla il manuale del MOSFET, scopriremo che maggiore è il valore della tensione di tenuta del MOSFET, maggiore è la sua resistenza, e quelli con corrente di drain elevata e basso valore di tensione di tenuta del tubo, la sua resistenza è generalmente inferiore a decine di milliohm.
Supponendo una corrente di carico di 5 A, scegliamo il MOSFET RU75N08R comunemente utilizzato dall'inverter e un valore di tenuta alla tensione di 500 V 840 può essere, la loro corrente di drain è di 5 A o più, ma la resistenza di accensione dei due tubi è diversa, guidano la stessa corrente , la loro differenza di calore è molto grande. La resistenza di accensione del 75N08R è di soli 0,008 Ω, mentre la resistenza di accensione dell'840 è di 0,85 Ω, quando la corrente di carico che scorre attraverso il tubo è di 5 A, la caduta di tensione del tubo di 75N08R è di soli 0,04 V, in questo momento il consumo del tubo MOSFET è solo 0,2 W, mentre la caduta di tensione del tubo 840 può arrivare fino a 4,25 W, il consumo del tubo arriva fino a 21,25 W. Da ciò si può vedere che minore è la resistenza ON del MOSFET dell'inverter, meglio è, la resistenza ON del tubo è grande, il consumo del tubo in condizioni di corrente elevata La resistenza ON del MOSFET dell'inverter è altrettanto piccola possibile.
2, il circuito di pilotaggio dell'ampiezza della tensione di pilotaggio non è abbastanza grande
MOSFET è un dispositivo di controllo della tensione, se si desidera ridurre il consumo del tubo, ridurre il calore,MOSFETL'ampiezza della tensione di comando del gate deve essere sufficientemente grande da far sì che il fronte dell'impulso sia ripido e dritto, è possibile ridurre la caduta di tensione del tubo e ridurre il consumo del tubo.
3, la dissipazione del calore del MOSFET non è una buona causa
InvertitoreMOSFETil riscaldamento è grave. Poiché il consumo energetico del MOSFET dell'inverter è elevato, il lavoro richiede generalmente un'area esterna del dissipatore di calore sufficientemente ampia e il dissipatore di calore esterno e il MOSFET stesso tra i dissipatori di calore devono essere a stretto contatto (generalmente necessario rivestirli con grasso siliconico termoconduttivo ), se il dissipatore di calore esterno è più piccolo o il contatto con il dissipatore di calore del MOSFET non è abbastanza vicino, potrebbe verificarsi il riscaldamento del tubo.
Riscaldamento inverter MOSFET serio ci sono quattro ragioni per la sintesi.
Un leggero riscaldamento del MOSFET è un fenomeno normale, ma un riscaldamento grave, che porta anche alla bruciatura del tubo, può essere dovuto ai seguenti quattro motivi:
1, il problema della progettazione del circuito
Lascia che il MOSFET funzioni in uno stato operativo lineare, anziché nello stato del circuito di commutazione. È anche una delle cause del riscaldamento del MOSFET. Se è l'N-MOS a effettuare la commutazione, la tensione di livello G deve essere di qualche V superiore a quella dell'alimentatore per essere completamente acceso, mentre il P-MOS è l'opposto. Non completamente aperto e la caduta di tensione è troppo grande con conseguente consumo energetico, l'impedenza CC equivalente è maggiore, la caduta di tensione aumenta, quindi aumenta anche U * I, la perdita significa calore. Questo è l'errore più evitato nella progettazione del circuito.
2, una frequenza troppo alta
Il motivo principale è che a volte la ricerca eccessiva di volume, con conseguente aumento della frequenza, perdite MOSFET in grandi quantità, quindi aumenta anche il calore.
3, progettazione termica insufficiente
Se la corrente è troppo elevata, il valore della corrente nominale del MOSFET richiede solitamente una buona dissipazione del calore per essere raggiunto. Quindi l'ID è inferiore alla corrente massima, potrebbe anche surriscaldarsi notevolmente e necessitare di un dissipatore di calore ausiliario sufficiente.
4, la selezione del MOSFET è errata
Giudizio errato della potenza, la resistenza interna del MOSFET non viene pienamente considerata, con conseguente aumento dell'impedenza di commutazione.
Orario di pubblicazione: 22 aprile 2024
