Esistono due soluzioni principali:
Uno consiste nell'utilizzare un chip driver dedicato per pilotare il MOSFET, oppure l'uso di fotoaccoppiatori veloci, i transistor costituiscono un circuito per pilotare il MOSFET, ma il primo tipo di approccio richiede la fornitura di un alimentatore indipendente; l'altro tipo di trasformatore di impulsi per pilotare il MOSFET, e nel circuito di pilotaggio di impulsi, come migliorare la frequenza di commutazione del circuito di pilotaggio per aumentare la capacità di pilotaggio, per quanto possibile, per ridurre il numero di componenti, è l'urgente necessità per risolvere ilProblemi attuali.
Il primo tipo di schema di azionamento, a mezzo ponte, richiede due alimentatori indipendenti; il ponte intero richiede tre alimentatori indipendenti, sia a ponte intero che a ponte intero, troppi componenti, che non favoriscono la riduzione dei costi.
Il secondo tipo di programma di guida, e il brevetto, è la tecnica anteriore più vicina al nome dell'invenzione "ad alta potenzaMOSFET circuito di azionamento" (numero di domanda 200720309534.8), il brevetto aggiunge solo una resistenza di scarica per rilasciare la sorgente di gate della carica MOSFET ad alta potenza, per raggiungere lo scopo di spegnimento, il fronte di discesa del segnale PWM è grande. Il il fronte di discesa del segnale PWM è ampio, il che porterà allo spegnimento lento del MOSFET, la perdita di potenza è molto elevata;
Inoltre, il funzionamento del MOSFET del programma di brevetto è suscettibile alle interferenze e il chip di controllo PWM deve avere una grande potenza di uscita, rendendo la temperatura del chip elevata, influenzando la durata del chip. Contenuto dell'invenzione Lo scopo di questo modello di utilità è fornire un circuito di azionamento MOSFET ad alta potenza, un lavoro più stabile e zero per raggiungere lo scopo di questa soluzione tecnica di invenzione del modello di utilità: un circuito di azionamento MOSFET ad alta potenza, l'uscita del segnale di il chip di controllo PWM è collegato al trasformatore di impulsi primario, il prima uscita oSe il trasformatore di impulsi secondario è collegato al primo gate MOSFET, la seconda uscita del trasformatore di impulsi secondario è collegata al primo gate MOSFET, la seconda uscita del trasformatore di impulsi secondario è collegata al primo gate MOSFET. La prima uscita del secondario del trasformatore di impulsi è collegata al gate del primo MOSFET, la seconda uscita del secondario del trasformatore di impulsi è collegata al gate del secondo MOSFET, caratterizzato dal fatto che è collegata anche la prima uscita del secondario del trasformatore di impulsi al primo transistore di scarica, e anche la seconda uscita del secondario del trasformatore di impulsi è collegata al secondo transistore di scarica. Il lato primario del trasformatore di impulsi è inoltre collegato a un circuito di accumulo e rilascio dell'energia.
Il circuito di rilascio dell'accumulo di energia comprende un resistore, un condensatore e un diodo, il resistore e il condensatore sono collegati in parallelo, e il suddetto circuito parallelo è collegato in serie con il diodo. Il modello di utilità ha un effetto benefico Il modello di utilità ha anche un primo transistor di scarica collegato alla prima uscita del secondario del trasformatore e un secondo transistor di scarica collegato alla seconda uscita del trasformatore di impulsi, in modo che quando il trasformatore di impulsi emette un segnale basso livello, il primo MOSFET e il secondo MOSFET possono essere scaricati rapidamente per migliorare la velocità di spegnimento del MOSFET e ridurre la perdita del MOSFET. Il segnale del chip di controllo PWM è collegato al MOSFET di amplificazione del segnale tra l'uscita primaria e l'impulso primario del trasformatore, che può essere utilizzato per l'amplificazione del segnale. L'uscita del segnale del chip di controllo PWM e il trasformatore di impulsi primario sono collegati a un MOSFET per l'amplificazione del segnale, che può migliorare ulteriormente la capacità di pilotaggio del segnale PWM.
Il trasformatore di impulsi primario è anche collegato a un circuito di rilascio di accumulo di energia, quando il segnale PWM è a un livello basso, il circuito di rilascio di accumulo di energia rilascia l'energia immagazzinata nel trasformatore di impulsi quando il PWM è a un livello alto, garantendo che il gate la sorgente del primo MOSFET e del secondo MOSFET è estremamente bassa, il che gioca un ruolo nel prevenire le interferenze.
In un'implementazione specifica, un MOSFET Q1 a bassa potenza per l'amplificazione del segnale è collegato tra il terminale di uscita del segnale A del chip di controllo PWM e il primario del trasformatore di impulsi Tl, il primo terminale di uscita del secondario del trasformatore di impulsi è collegato a il gate del primo MOSFET Q4 tramite il diodo D1 e il resistore di pilotaggio Rl, il secondo terminale di uscita del secondario del trasformatore di impulsi è collegato al gate del secondo MOSFET Q5 tramite il diodo D2 e il resistore di pilotaggio R2, e il il primo terminale di uscita del secondario del trasformatore di impulsi è inoltre collegato al primo triodo di drain Q2, ed il secondo triodo di drain Q3 è anch'esso collegato al secondo triodo di drain Q3. MOSFET Q5, il primo terminale di uscita del secondario del trasformatore di impulsi è anch'esso collegato ad un primo transistore di drain Q2, e il secondo terminale di uscita del secondario del trasformatore di impulsi è anch'esso collegato ad un secondo transistore di drain Q3.
Il gate del primo MOSFET Q4 è collegato ad un resistore di drain R3, e il gate del secondo MOSFET Q5 è collegato ad un resistore di drain R4. il primario del trasformatore di impulsi Tl è anche collegato a un circuito di accumulo e rilascio di energia, e il circuito di accumulo e rilascio di energia comprende un resistore R5, un condensatore Cl e un diodo D3, e il resistore R5 e il condensatore Cl sono collegati in parallelo, e il suddetto circuito parallelo è collegato in serie al diodo D3. l'uscita del segnale PWM dal chip di controllo PWM è collegata al MOSFET Q2 a bassa potenza e il MOSFET Q2 a bassa potenza è collegato al secondario del trasformatore di impulsi. è amplificato dal MOSFET a bassa potenza Ql e inviato al primario del trasformatore di impulsi Tl. Quando il segnale PWM è alto, il primo terminale di uscita e il secondo terminale di uscita del secondario del trasformatore di impulsi Tl emettono segnali di livello alto per portare in conduzione il primo MOSFET Q4 e il secondo MOSFET Q5.
Quando il segnale PWM è basso, la prima uscita e la seconda uscita del trasformatore di impulsi Tl producono segnali di basso livello di uscita secondaria, il primo transistor di drain Q2 e il secondo transistor di drain Q3 conducono, la capacità della sorgente di gate del primo MOSFETQ4 attraverso il resistore di drain R3, il primo transistor di drain Q2 per la scarica, la seconda capacità source di gate MOSFETQ5 attraverso il resistore di drain R4, il secondo transistor di drain Q3 per la scarica, la capacità source di gate MOSFETQ5 attraverso il resistore di drain R4, il secondo transistor di drain Q3 per la scarica, il secondo MOSFETQ5 capacità gate source attraverso il resistore di drain R4, il secondo transistor di drain Q3 per la scarica. La capacità di gate source del secondo MOSFETQ5 viene scaricata attraverso il resistore di drain R4 e il secondo transistor di drain Q3, in modo che il primo MOSFET Q4 e il secondo MOSFET Q5 possano essere spenti più velocemente e la perdita di potenza possa essere ridotta.
Quando il segnale PWM è basso, il circuito di rilascio dell'energia immagazzinata composto dal resistore R5, dal condensatore Cl e dal diodo D3 rilascia l'energia immagazzinata nel trasformatore di impulsi quando il PWM è alto, garantendo che la sorgente di gate del primo MOSFET Q4 e del secondo MOSFET Q5 è estremamente basso, il che serve allo scopo di anti-interferenza. Il diodo Dl e il diodo D2 conducono la corrente di uscita in modo unidirezionale, garantendo così la qualità della forma d'onda PWM e, allo stesso tempo, svolgono anche in una certa misura il ruolo di anti-interferenza.
Orario di pubblicazione: 02 agosto 2024
