Struttura metallo-ossido-semiconduttore del transistor a cristallo comunemente noto comeMOSFET, dove i MOSFET sono suddivisi in MOSFET di tipo P e MOSFET di tipo N. I circuiti integrati composti da MOSFET sono anche chiamati circuiti integrati MOSFET e i circuiti integrati MOSFET strettamente correlati composti da PMOSFET eNMOSFET sono chiamati circuiti integrati CMOSFET.
Un MOSFET costituito da un substrato di tipo p e due aree di diffusione n con valori di concentrazione elevati è chiamato canale nMOSFET, e il canale conduttivo causato da un canale conduttivo di tipo n è causato dai percorsi di diffusione n nei due percorsi di diffusione n con valori di concentrazione elevati quando il tubo conduce. I MOSFET addensati a canale n hanno il canale n causato da un canale conduttivo quando una polarizzazione direzionale positiva viene aumentata il più possibile al gate e solo quando il funzionamento del gate source richiede una tensione operativa superiore alla tensione di soglia. I MOSFET a svuotamento a canale n sono quelli che non sono pronti per la tensione di gate (il funzionamento con gate source richiede una tensione operativa pari a zero). Un MOSFET a canale n a svuotamento della luce è un MOSFET a canale n in cui il canale conduttivo viene causato quando la tensione di gate (la tensione operativa del requisito operativo della sorgente di gate è zero) non è preparata.
I circuiti integrati NMOSFET sono circuiti di alimentazione MOSFET a canale N, circuiti integrati NMOSFET, la resistenza di ingresso è molto elevata, la stragrande maggioranza non deve digerire l'assorbimento del flusso di potenza, e quindi i circuiti integrati CMOSFET e NMOSFET sono collegati senza doverli prendere in considerazione tenere conto del carico del flusso di potenza. Circuiti integrati NMOSFET, la stragrande maggioranza della selezione di un circuito di alimentazione del circuito di alimentazione a commutazione positiva a gruppo singolo La maggior parte dei circuiti integrati NMOSFET utilizza un singolo circuito di alimentazione del circuito di alimentazione a commutazione positiva e per 9V per di più. I circuiti integrati CMOSFET devono solo utilizzare lo stesso circuito di alimentazione del circuito di alimentazione a commutazione dei circuiti integrati NMOSFET, possono essere collegati immediatamente con i circuiti integrati NMOSFET. Tuttavia, da NMOSFET a CMOSFET immediatamente collegato, poiché la resistenza di pull-up dell'uscita NMOSFET è inferiore alla resistenza di pull-up con chiave del circuito integrato CMOSFET, quindi prova ad applicare una differenza di potenziale del resistore di pull-up R, il valore del resistore R è generalmente da 2 a 100KΩ.
Costruzione di MOSFET addensati a canale N
Su un substrato di silicio di tipo P con un basso valore di concentrazione di drogaggio, vengono realizzate due regioni N con un alto valore di concentrazione di drogaggio e due elettrodi vengono ricavati dall'alluminio metallico per fungere rispettivamente da drain d e da source s.
Quindi nella superficie del componente semiconduttore maschera uno strato molto sottile di tubo isolante di silice, nel tubo isolante drain-source tra lo drain e la source di un altro elettrodo di alluminio, come gate g.
Nel substrato fuoriesce anche un elettrodo B, che consiste in un MOSFET spesso a canale N. La sorgente e il substrato del MOSFET sono generalmente collegati insieme, la stragrande maggioranza del tubo in fabbrica è collegata ad esso da tempo, il suo gate e altri elettrodi sono isolati tra l'involucro.
Orario di pubblicazione: 26 maggio 2024
