Conduttività MOSFET significa che viene utilizzato come interruttore, il che equivale alla chiusura di un interruttore. NMOS è caratterizzato come conduttivo quando Vgs supera un valore limitato, che si applica alla condizione con la sorgente collegata a un dispositivo messo a terra e necessita solo del gate la tensione deve essere 4 V o 10 V.PMOS, invece, conduce quando Vgs scende al di sotto di un certo valore, ed è adatto per situazioni in cui la sorgente è collegata a Vcc. Tuttavia, sebbene PMOS possa essere conveniente come driver di alta qualità, NMOS viene generalmente utilizzato nei driver di alta qualità a causa dell'elevata resistenza in conduzione, del prezzo e dei costi elevati e dei pochi tipi di sostituzione.
Che lo siaNMOSo PMOS, ci sarà una resistenza ON dopo la resistenza ON, in modo che la corrente nella resistenza consumi una certa quantità di energia, questo consumo è chiamato perdita di resistenza ON. A questo punto, scegliamo semplicemente la resistenza di un piccolo MOSFET in grado di ridurre la perdita di resistenza, il basso consumo di oggiMOSFETla resistenza di accensione è generalmente di decine di milliohm, o anche pochi milliohm, l'apparizione del MOS in caso di accensione e il completamento della situazione non è in un lampo.
La tensione su entrambi i lati del MOS ha un processo di diminuzione, la corrente che scorre attraverso il processo di aumento, in questo periodo di tempo, la tensione e la corrente moltiplicate per l'entità della perdita del MOSFET. La perdita di commutazione generale è molto maggiore della perdita di conduzione e, se maggiore è la frequenza di commutazione, maggiore è la perdita. Maggiore è la moltiplicazione della tensione e della corrente al momento della conduzione, maggiore è la perdita. Se riusciamo a ridurre il tempo di commutazione, possiamo ridurre la perdita ad ogni conduzione, ridurre la frequenza di commutazione, inoltre possiamo ridurre la frequenza di commutazione entro un certo periodo di tempo, in modo da ridurre la perdita di commutazione.
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Orario di pubblicazione: 10 luglio 2024
