I MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) sono spesso considerati dispositivi completamente controllati. Questo perché lo stato di funzionamento (acceso o spento) del MOSFET è completamente controllato dalla tensione di gate (Vgs) e non dipende dalla corrente di base come nel caso di un transistor bipolare (BJT).
In un MOSFET, la tensione di gate Vgs determina se è formato un canale conduttivo tra source e drain, nonché l'ampiezza e la conduttività del canale conduttivo. Quando Vgs supera la tensione di soglia Vt, si forma il canale conduttivo e il MOSFET entra nello stato on; quando Vgs scende al di sotto di Vt, il canale conduttore scompare e il MOSFET è nello stato di interruzione. Questo controllo è completamente controllato perché la tensione di gate può controllare in modo indipendente e preciso lo stato operativo del MOSFET senza fare affidamento su altri parametri di corrente o tensione.
Al contrario, lo stato operativo dei dispositivi semicontrollati (ad esempio tiristori) non è influenzato solo dalla tensione o corrente di controllo, ma anche da altri fattori (ad esempio tensione anodica, corrente, ecc.). Di conseguenza, i dispositivi completamente controllati (ad esempio i MOSFET) offrono solitamente prestazioni migliori in termini di precisione e flessibilità del controllo.
In sintesi, i MOSFET sono dispositivi completamente controllati il cui stato operativo è completamente controllato dalla tensione di gate e presentano i vantaggi di alta precisione, elevata flessibilità e basso consumo energetico.
Orario di pubblicazione: 20 settembre 2024
