Conosci i tre poli del MOSFET?

MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) ha tre poli che sono:

Cancello:G, il gate di un MOSFET è equivalente alla base di un transistor bipolare e viene utilizzato per controllare la conduzione e l'interruzione del MOSFET. Nei MOSFET, la tensione di gate (Vgs) determina se si forma un canale conduttivo tra source e drain, nonché l'ampiezza e la conduttività del canale conduttivo. Il gate è costituito da materiali come metallo, polisilicio, ecc. ed è circondato da uno strato isolante (solitamente biossido di silicio) per impedire alla corrente di fluire direttamente dentro o fuori dal gate.

Fonte:S, la sorgente di un MOSFET è equivalente all'emettitore di un transistor bipolare ed è dove scorre la corrente. Nei MOSFET a canale N, la sorgente è solitamente collegata al terminale negativo (o terra) dell'alimentatore, mentre nei MOSFET a canale P, la sorgente è collegata al terminale positivo dell'alimentatore. La sorgente è una delle parti chiave che formano il canale conduttivo, che invia elettroni (canale N) o lacune (canale P) al drain quando la tensione di gate è sufficientemente elevata.

Drenare:D, il drain di un MOSFET è equivalente al collettore di un transistor bipolare ed è il punto in cui scorre la corrente. Il drain è solitamente collegato al carico e funge da uscita di corrente nel circuito. In un MOSFET, il drain è l'altra estremità del canale conduttivo e quando la tensione di gate controlla la formazione di un canale conduttivo tra source e drain, la corrente può fluire dalla source attraverso il canale conduttivo fino al drain.

In poche parole, il gate di un MOSFET viene utilizzato per controllare l'accensione e lo spegnimento, la sorgente è il punto in cui fuoriesce la corrente e il drain è il punto in cui fluisce la corrente. Insieme, questi tre poli determinano lo stato operativo e le prestazioni del MOSFET .