Al giorno d'oggi, con il rapido sviluppo della scienza e della tecnologia, i semiconduttori vengono utilizzati in un numero sempre maggiore di settori in cui ilMOSFET è considerato anche un dispositivo a semiconduttore molto comune, il passo successivo è capire qual è la differenza tra le caratteristiche del transistor bipolare al cristallo di potenza e il MOSFET di potenza in uscita.
1, il modo di lavorare
MOSFET è il lavoro richiesto per promuovere la tensione operativa, gli schemi elettrici spiegano in modo relativamente semplice, promuovono la potenza di piccole dimensioni; Il transistor a cristallo di potenza è un flusso di potenza per promuovere la progettazione del programma è più complesso, per promuovere la specifica della scelta di difficile promuovere la specifica metterà a repentaglio la velocità di commutazione totale dell'alimentatore.
2, la velocità di commutazione totale dell'alimentatore
Il MOSFET influenzato dalla temperatura è piccolo, la potenza di uscita di commutazione dell'alimentatore può garantire più di 150 KHz; Il transistor a cristallo di potenza ha pochissimi limiti di tempo di conservazione della carica gratuita per la velocità di commutazione dell'alimentatore, ma la sua potenza di uscita generalmente non è superiore a 50 KHz.
3、Area di lavoro sicura
MOSFET di potenza non ha basi secondarie e l'area di lavoro sicura è ampia; Il transistor a cristallo di potenza ha una situazione di base secondaria, che limita l'area di lavoro sicura.
4, tensione di funzionamento dei requisiti di funzionamento del conduttore elettrico
EnergiaMOSFET appartiene al tipo ad alta tensione, la tensione di lavoro richiesta per la conduzione è più alta, c'è un coefficiente di temperatura positivo; transistor a cristallo di potenza, indipendentemente dalla quantità di denaro resistente alla tensione di lavoro richiesta, la tensione di lavoro richiesta dal conduttore elettrico è inferiore e ha un coefficiente di temperatura negativo.
5, il flusso di potenza massimo
MOSFET di potenza nel circuito di alimentazione del circuito di alimentazione del circuito di alimentazione del circuito di alimentazione come interruttore di alimentazione, durante il funzionamento e il lavoro stabile al centro, il flusso di potenza massimo è inferiore; e transistor a cristallo di potenza in funzione e lavoro stabile al centro, il flusso di potenza massimo è più elevato.
6、Costo del prodotto
Il costo del MOSFET di potenza è leggermente più alto; il costo del triodo a cristalli di potenza è leggermente inferiore.
7、Effetto di penetrazione
Il MOSFET di potenza non ha effetto di penetrazione; Il transistor a cristallo di potenza ha un effetto di penetrazione.
8、Perdita di commutazione
La perdita di commutazione del MOSFET non è elevata; La perdita di commutazione del transistor a cristallo di potenza è relativamente grande.
Inoltre, la stragrande maggioranza dei MOSFET di potenza ha un diodo di assorbimento degli urti integrato, mentre il transistor a cristallo di potenza bipolare quasi nessun diodo di assorbimento degli urti integrato. Il diodo di assorbimento degli urti del MOSFET può anche essere un magnete universale per la commutazione delle bobine magnetiche dei circuiti di alimentazione per fornire l'angolo del fattore di potenza del canale di sicurezza del flusso di corrente. Tubo ad effetto di campo nel diodo ammortizzante durante l'intero processo di spegnimento con il diodo generale poiché esiste un flusso di corrente di recupero inverso, in questo momento il diodo da un lato occupa il polo positivo di scarico-sorgente al centro di un sostanziale aumento dei requisiti di lavoro della tensione operativa, d'altro canto, e del flusso di corrente di recupero inverso.
Orario di pubblicazione: 29 maggio 2024
