Caratteristiche dei MOSFET avanzati

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Caratteristiche dei MOSFET avanzati

EnergiaMOSFET è una classe molto vantaggiosa per gli apparati elettrici, "MOSFET" è il "transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo" inglese. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metal materiale, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie groundstoffen. Per quanto riguarda il problema, il MOSFET assicura che può essere prodotto un enorme spazio lavorativo, e se è stato integrato in modi molto veloci, mentre la funzione del convertitore può essere sovradimensionata nel tipo verbeterde e nel tipo a esaurimento leggero, mentre il canale può essere sovradimensionato in Tipo N-kanaal e tipo P-kanaal.

Tipo di pacchetto MOSFET

I MOSFET di potenza vengono utilizzati in generale per i circuiti di alimentazione scadenti. Over het algemeen kiezenFabbricazione MOSFET il parametro RDS(ON) per definire l'impedenza delle caratteristiche peculiari; RDS(ON) è anche una caratteristica fondamentale dell'apparecchiatura per il passaggio ORing FET. La Guida alle informazioni sui dati definisce RDS(ON) in relazione a tutti i letti del cancello, VGS e lo spazio della porta del vloeit di vermogensschakelaar, ma RDS(ON) è un parametro statico relativo per l'azionamento del cancello in movimento.

Anche se un produttore di MOSFET avrà una struttura modulare con specifiche di installazione minime e costi elevati, è necessario che l'impedenza delle caratteristiche di alta qualità sia molto elevata. Bij hetwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de befacing te leiden. In molti casi gli sviluppatori di MOSFET in serie collegati a RDS(ON) possono essere riprodotti.

Dopo RDS(ON), nell'intero processo di selezione del MOSFET, ci sono anche alcuni parametri MOSFET che hanno anche molte critiche nei confronti degli utenti. Molto spesso gli sviluppatori possono leggere la grafica SOA nella Data Information Guide, la correlazione tra il tuo spazio di scarico e le informazioni di scarico che abbracciano la descrizione. Per la maggior parte dei moduli SOA definiti che si estendono per lo spazio in cui è possibile lavorare con il MOSFET.

MOSFET WINSOK TO-263-2L

Per i tipi di condizioni di carico di cui sopra, dopo aver stimato (o misurato) la tensione operativa maggiore e aver lasciato un margine compreso tra il 20% e il 30%, è possibile specificare il valore VDS della corrente nominale necessario del MOSFET. Va detto che, per migliorare i costi e le caratteristiche più uniformi, è possibile selezionare i diodi e gli induttori di corrente in serie di corrente CA nella chiusura della composizione del circuito di controllo della corrente, rilasciare l'energia cinetica della corrente induttiva per mantenere la MOSFET. la corrente nominale è chiara, la corrente può essere dedotta. Ma qui bisogna tenere conto di due parametri: uno è il valore della corrente in funzionamento continuo e il valore più alto del singolo picco di corrente ad impulso (Spike e Surge), questi due parametri per decidere quanto si dovrebbe scegliere il valore nominale della valore corrente.


Orario di pubblicazione: 28 maggio 2024