Le due cause principaliof MOSFET fallimento:
Caduta di tensione: ovvero la tensione BVdss tra drain e source supera la tensione nominale delMOSFET e raggiunge una certa capacità, causando il guasto del MOSFET.
Guasto alla tensione del gate: il gate subisce un picco di tensione anomalo, con conseguente guasto dello strato di ossigeno del gate.
Guasto di collasso (mancanza di tensione)
Cos’è esattamente il danno da valanga? In poche parole,un MOSFET è una modalità di guasto creata dalla sovrapposizione tra tensioni del bus, tensioni di riflessione del trasformatore, tensioni di picco di dispersione, ecc. e il MOSFET. In breve, si tratta di un guasto comune che si verifica quando la tensione sul polo drain-source di un MOSFET supera il valore di tensione specificato e raggiunge un determinato limite di energia.
Misure per prevenire i danni da valanga:
-Ridurre adeguatamente il dosaggio. In questo settore, solitamente è ridotto dell'80-95%. Scegli in base ai termini di garanzia dell'azienda e alle priorità di linea.
-La tensione riflettente è ragionevole.
-RCD, il design del circuito di assorbimento TVS è ragionevole.
-Il cablaggio ad alta corrente dovrebbe essere il più ampio possibile per ridurre al minimo l'induttanza parassita.
-Selezionare il resistore di gate Rg appropriato.
-Aggiungere lo smorzamento RC o l'assorbimento del diodo Zener per alimentatori ad alta potenza secondo necessità.
Guasto alla tensione di gate
Le cause principali di tensioni di rete anormalmente elevate sono tre: elettricità statica durante la produzione, il trasporto e l’assemblaggio; risonanza ad alta tensione generata da parametri parassiti di apparecchiature e circuiti durante il funzionamento del sistema di alimentazione; e trasmissione di alta tensione attraverso il Ggd alla rete durante le scariche ad alta tensione (un guasto più comune durante le prove sui fulmini).
Misure per prevenire guasti alla tensione di gate:
Protezione da sovratensione tra gate e source: quando l'impedenza tra gate e source è troppo elevata, l'improvviso cambiamento di tensione tra gate e source viene accoppiato al gate attraverso la capacità tra gli elettrodi, determinando una sovraregolazione della tensione UGS molto elevata, portando ad una eccessiva regolazione del cancello. Danno ossidativo permanente. Se l'UGS ha una tensione transitoria positiva, anche il dispositivo può causare errori. Su questa base, l'impedenza del circuito di pilotaggio del gate dovrebbe essere adeguatamente ridotta e un resistore di smorzamento o una tensione stabilizzante da 20 V dovrebbero essere collegati tra il gate e la sorgente. È necessario prestare particolare attenzione per evitare il funzionamento della porta aperta.
Protezione da sovratensione tra i tubi di scarica: se nel circuito è presente un induttore, improvvisi cambiamenti nella corrente di dispersione (di/dt) quando l'unità è spenta provocheranno superamenti della tensione di dispersione ben al di sopra della tensione di alimentazione, causando danni all'unità. La protezione dovrebbe includere una pinza Zener, una pinza RC o un circuito di soppressione RC.
Orario di pubblicazione: 17 luglio 2024
