In contrasto con il triodo a doppio cristallo rotante, si ritiene generalmente che la realizzazione delMOSFETLa conduzione non utilizza un flusso elettrico, ma richiede solo che la tensione GS sia superiore ad un certo valore. È relativamente facile farlo, abbiamo bisogno principalmente di un certo tasso.
Per quanto riguarda la struttura del MOSFET, possiamo trovare nel GS, GD, sarà presente una certa capacità parassita e il comando del MOSFET, infatti, consiste nel caricare e scaricare la capacità. Per caricare i condensatori è sufficiente solo una corrente, poiché il condensatore nel momento di carica equivale al condensatore in cortocircuito, questa volta la corrente istantanea sarà superiore al valore della situazione generale. Pertanto, se selezioniamo o progettiamo il programma del circuito di azionamento del MOSFET, la prima cosa a cui prestare attenzione è la dimensione della corrente di cortocircuito istantanea che può essere fornita.
In secondo luogo, NMOS, ampiamente utilizzato per azionamenti di fascia alta, deve consentire alla tensione di gate di superare la tensione di sorgente quando conduce. MOSFET di azionamento di fascia alta in tempo di accensione, la dimensione della tensione di sorgente e della tensione di drain è la stessa, quindi questa volta la tensione di gate dovrebbe essere 4 V o 10 V maggiore di Vcc. Se nello stesso sistema si desidera ottenere una tensione di gate maggiore di Vcc, è necessario specializzarsi nel controllo della tensione del circuito. Molti driver dei motori sono composti da pompe di carica, va notato che dovremmo scegliere il condensatore esterno appropriato, in modo da ottenere una corrente di cortocircuito sufficiente per pilotare il MOSFET.
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Orario di pubblicazione: 06-lug-2024
