Requisiti del circuito del driver MOSFET

Con i driver MOS di oggi, ci sono diversi requisiti straordinari:

1. Applicazione a bassa tensione

Quando si applica la commutazione a 5 VAlimentazione elettrica, in questo momento se si utilizza la tradizionale struttura totem pole, poiché il triodo ha una perdita su e giù di soli 0,7 V, con conseguente uno specifico gate di carico finale sulla tensione è di soli 4,3 V, in questo momento, l'uso della tensione di gate consentita di 4,5 VMOSFET c'è un certo grado di rischio.La stessa situazione si verifica anche nell'applicazione di 3 V o altro alimentatore switching a bassa tensione.

2. Ampia applicazione di tensione

La tensione di manovra non ha un valore numerico, varia di volta in volta o per altri fattori. Questa variazione rende instabile la tensione di pilotaggio fornita al MOSFET dal circuito PWM.

Per proteggere meglio il MOSFET a tensioni di gate elevate, molti MOSFET dispongono di regolatori di tensione incorporati per imporre un limite all'entità della tensione di gate. In questo caso, quando la tensione del convertitore viene portata a superare la tensione del regolatore, si provoca una grande perdita di funzionalità statica.

Allo stesso tempo, se si utilizza il principio di base del partitore di tensione del resistore per ridurre la tensione di gate, accadrà che se la tensione in chiave è più alta, il MOSFET funziona bene e se la tensione in chiave viene ridotta, la tensione di gate non lo sarà. sufficiente, con conseguente accensione e spegnimento insufficienti, che aumenteranno la perdita funzionale.

Circuito di protezione da sovracorrente MOSFET per evitare incidenti di interruzione dell'alimentazione(1)

3. Applicazioni a doppia tensione

In alcuni circuiti di controllo, la parte logica del circuito applica la tipica tensione dati di 5 V o 3,3 V, mentre la parte di potenza in uscita applica 12 V o più e le due tensioni sono collegate alla massa comune.

Ciò rende chiaro che è necessario utilizzare un circuito di alimentazione in modo che il lato a bassa tensione possa ragionevolmente manipolare il MOSFET ad alta tensione, mentre il MOSFET ad alta tensione sarà in grado di far fronte alle stesse difficoltà menzionate ai punti 1 e 2.

In questi tre casi, la struttura del totem non può soddisfare i requisiti di uscita e molti circuiti integrati di driver MOS esistenti non sembrano includere una struttura di limitazione della tensione di gate.