Analisi dei MOSFET di potenziamento e di svuotamento

D-FET è nella polarizzazione del gate 0 quando l'esistenza del canale può condurre il FET; E-FET è nella polarizzazione del gate 0 quando non è presente alcun canale, non può condurre il FET. questi due tipi di FET hanno le proprie caratteristiche e usi. In generale, il FET potenziato nei circuiti ad alta velocità e bassa potenza è molto prezioso; e questo dispositivo funziona, è la polarità del bias del gate voltaggio e scarico tensione dello stesso, è più conveniente nella progettazione del circuito.

Il cosiddetto potenziato significa: quando VGS = 0 il tubo è uno stato di cut-off, più il VGS corretto, la maggior parte dei portatori è attratta dal gate, "migliorando" così i portanti nella regione, formando un canale conduttivo. Il MOSFET potenziato a canale n è fondamentalmente una topologia simmetrica sinistra-destra, che è il semiconduttore di tipo P sulla generazione di uno strato di film isolante di SiO2. Genera uno strato isolante di pellicola di SiO2 sul semiconduttore di tipo P, quindi diffonde due regioni di tipo N altamente drogate mediantefotolitografia, e conduce gli elettrodi dalla regione di tipo N, uno per il drain D e uno per la source S. Uno strato di alluminio metallico è placcato sullo strato isolante tra la source e il drain come gate G. Quando VGS = 0 V , ci sono parecchi diodi con diodi back-to-back tra drain e source e la tensione tra D e S non forma una corrente tra D e S. La corrente tra D e S non è formata dalla tensione applicata .

Quando viene aggiunta la tensione di gate, se 0 < VGS < VGS(th), attraverso il campo elettrico capacitivo formato tra il gate e il substrato, i fori polionici nel semiconduttore di tipo P vicino al fondo del gate vengono respinti verso il basso e appare un sottile strato di esaurimento degli ioni negativi; allo stesso tempo, attirerà gli oligoni al suo interno per spostarsi sullo strato superficiale, ma il numero è limitato e insufficiente per formare un canale conduttivo che comunichi il drain e la source, quindi è ancora insufficiente per la formazione della corrente di drain ID. ulteriore aumento VGS, quando VGS > VGS (th) (VGS (th) è chiamata tensione di accensione), perché in questo momento la tensione di gate è stata relativamente forte, nello strato superficiale del semiconduttore di tipo P vicino al fondo del gate sotto la raccolta di più elettroni, si può formare una trincea, lo scarico e la fonte di comunicazione. Se la tensione della sorgente di drain viene aggiunta in questo momento, la corrente di drain può essere formata ID. gli elettroni nel canale conduttivo si formano sotto il gate, a causa del foro portante con la polarità del semiconduttore di tipo P è opposta, quindi è chiamato strato anti-tipo. Poiché il VGS continua ad aumentare, anche l'ID continuerà ad aumentare. ID = 0 a VGS = 0 V e la corrente di drain si verifica solo dopo VGS > VGS(th), quindi questo tipo di MOSFET è chiamato MOSFET di potenziamento.

La relazione di controllo di VGS sulla corrente di drenaggio può essere descritta dalla curva iD = f(VGS(th))|VDS=const, chiamata curva caratteristica di trasferimento, e dall'entità della pendenza della curva caratteristica di trasferimento, gm, riflette il controllo della corrente di drain da parte della tensione source di gate. l'entità di gm è mA/V, quindi gm è anche chiamata transconduttanza.