MOSFET WINSOK SOT-23-6L doppio canale N 20 V 5,8 A WST8205

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MOSFET WINSOK SOT-23-6L doppio canale N 20 V 5,8 A WST8205

breve descrizione:


  • Numero di modello:WST8205
  • BVDSS:20 V
  • RDSON:24 mΩ
  • ID:5,8 A
  • Canale:Doppio canale N
  • Pacchetto:SOT-23-6L
  • Prodotto estivo:Il MOSFET WST8205 funziona a 20 volt, sostiene 5,8 amp di corrente e ha una resistenza di 24 milliohm.Il MOSFET è costituito da un doppio canale N ed è confezionato in SOT-23-6L.
  • Applicazioni:Elettronica automobilistica, luci LED, audio, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo, pannelli protettivi.
  • Dettagli del prodotto

    Applicazione

    Tag dei prodotti

    Descrizione generale

    Il WST8205 è un MOSFET N-Ch trench ad alte prestazioni con densità di celle estremamente elevata, che fornisce RDSON e carica di gate eccellenti per la maggior parte delle applicazioni di commutazione di carico e commutazione di piccola potenza.Il WST8205 soddisfa i requisiti RoHS e Green Product con la completa approvazione dell'affidabilità funzionale.

    Caratteristiche

    La nostra tecnologia avanzata incorpora funzionalità innovative che distinguono questo dispositivo dagli altri sul mercato.Con trincee ad alta densità di celle, questa tecnologia consente una maggiore integrazione dei componenti, con conseguente miglioramento delle prestazioni e dell'efficienza. Un notevole vantaggio di questo dispositivo è la carica di gate estremamente bassa.Di conseguenza, richiede un'energia minima per passare dallo stato di accensione a quello di spegnimento, con conseguente riduzione del consumo energetico e miglioramento dell'efficienza complessiva.Questa caratteristica di bassa carica di gate lo rende la scelta ideale per applicazioni che richiedono commutazione ad alta velocità e controllo preciso. Inoltre, il nostro dispositivo eccelle nella riduzione degli effetti Cdv/dt.Cdv/dt, o la velocità di variazione della tensione drain-source nel tempo, può causare effetti indesiderati come picchi di tensione e interferenze elettromagnetiche.Riducendo efficacemente al minimo questi effetti, il nostro dispositivo garantisce un funzionamento affidabile e stabile, anche in ambienti esigenti e dinamici. Oltre alla sua abilità tecnica, questo dispositivo è anche rispettoso dell'ambiente.È stato progettato pensando alla sostenibilità, prendendo in considerazione fattori come l'efficienza energetica e la longevità.Funzionando con la massima efficienza energetica, questo dispositivo riduce al minimo l'impronta di carbonio e contribuisce a un futuro più verde. In sintesi, il nostro dispositivo combina una tecnologia avanzata con trincee ad alta densità di celle, carica di gate estremamente bassa ed eccellente riduzione degli effetti Cdv/dt.Grazie al suo design rispettoso dell'ambiente, non solo offre prestazioni ed efficienza superiori, ma si allinea anche alla crescente necessità di soluzioni sostenibili nel mondo di oggi.

    Applicazioni

    Commutazione di piccola potenza sincrona al punto di carico ad alta frequenza per sistemi di alimentazione CC-CC di rete MB/NB/UMPC/VGA, elettronica automobilistica, luci a LED, audio, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo, pannelli protettivi.

    numero materiale corrispondente

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    Parametri importanti

    Simbolo Parametro Valutazione Unità
    VDS Tensione Drain-Source 20 V
    VGS Tensione gate-source ±12 V
    ID@Tc=25℃ Corrente di scarico continua, VGS a 4,5 V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ Corrente di scarico continua, VGS a 4,5 V1 3.8 A
    IDM Corrente di scarico pulsata2 16 A
    PD@TA=25℃ Dissipazione di potenza totale3 2.1 W
    TSTG Intervallo di temperatura di conservazione da -55 a 150
    TJ Intervallo di temperatura della giunzione operativa da -55 a 150
    Simbolo Parametro Condizioni minimo Tip. Massimo. Unità
    BVDSS Tensione di rottura drain-source VGS=0 V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coefficiente di temperatura BVDSS Riferimento a 25℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃
    RDS(ON) Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2 VGS=4,5 V, ID=5,5 A --- 24 28
           
        VGS=2,5 V, ID=3,5 A --- 30 45  
    VGS(esimo) Tensione di soglia del gate VGS=VDS, ID=250uA 0,5 0,7 1.2 V
               
    △VGS(esimo) Coefficiente di temperatura VGS(th).   --- -2.33 --- mV/℃
    IDSS Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio VDS=16 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃ --- --- 5  
    IGSS Corrente di dispersione gate-source VGS=±12V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transconduttanza diretta VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Resistenza al cancello VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Carica totale al gate (4,5 V) VDS=10 V, VGS=4,5 V, ID=5,5 A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Tariffa gate-source --- 1.4 2.0
    Qgd Tassa di scarico del gate --- 2.2 3.2
    Td(acceso) Tempo di ritardo all'accensione VDD=10 V, VGEN=4,5 V, RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Ora di alzarsi --- 34 63
    Td(spento) Tempo di ritardo allo spegnimento --- 22 46
    Tf Tempo di caduta --- 9.0 18.4
    Ciss Capacità di ingresso VDS=10 V, VGS=0 V, f=1 MHz --- 625 889 pF
    Cos Capacità di uscita --- 69 98
    Crs Capacità di trasferimento inverso --- 61 88

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