MOSFET WINSOK SOT-23-6L doppio canale N 20 V 5,8 A WST8205
Descrizione generale
Il WST8205 è un MOSFET N-Ch trench ad alte prestazioni con densità di celle estremamente elevata, che fornisce RDSON e carica di gate eccellenti per la maggior parte delle applicazioni di commutazione di carico e commutazione di piccola potenza. Il WST8205 soddisfa i requisiti RoHS e Green Product con la completa approvazione dell'affidabilità funzionale.
Caratteristiche
La nostra tecnologia avanzata incorpora funzionalità innovative che distinguono questo dispositivo dagli altri sul mercato. Con trincee ad alta densità di celle, questa tecnologia consente una maggiore integrazione dei componenti, con conseguente miglioramento delle prestazioni e dell'efficienza. Un notevole vantaggio di questo dispositivo è la carica di gate estremamente bassa. Di conseguenza, richiede un'energia minima per passare dallo stato di accensione a quello di spegnimento, con conseguente riduzione del consumo energetico e miglioramento dell'efficienza complessiva. Questa caratteristica di bassa carica di gate lo rende la scelta ideale per applicazioni che richiedono commutazione ad alta velocità e controllo preciso. Inoltre, il nostro dispositivo eccelle nella riduzione degli effetti Cdv/dt. Cdv/dt, o la velocità di variazione della tensione drain-source nel tempo, può causare effetti indesiderati come picchi di tensione e interferenze elettromagnetiche. Riducendo efficacemente al minimo questi effetti, il nostro dispositivo garantisce un funzionamento affidabile e stabile, anche in ambienti esigenti e dinamici. Oltre alla sua abilità tecnica, questo dispositivo è anche rispettoso dell'ambiente. È stato progettato pensando alla sostenibilità, prendendo in considerazione fattori come l'efficienza energetica e la longevità. Funzionando con la massima efficienza energetica, questo dispositivo riduce al minimo l'impronta di carbonio e contribuisce a un futuro più verde. In sintesi, il nostro dispositivo combina una tecnologia avanzata con trincee ad alta densità di celle, carica di gate estremamente bassa ed eccellente riduzione degli effetti Cdv/dt. Grazie al suo design rispettoso dell'ambiente, non solo offre prestazioni ed efficienza superiori, ma si allinea anche alla crescente necessità di soluzioni sostenibili nel mondo di oggi.
Applicazioni
Commutazione di piccola potenza sincrona al punto di carico ad alta frequenza per sistemi di alimentazione CC-CC di rete MB/NB/UMPC/VGA, elettronica automobilistica, luci a LED, audio, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo, pannelli protettivi.
numero materiale corrispondente
AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.
Parametri importanti
Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
VDS | Tensione Drain-Source | 20 | V |
VGS | Tensione gate-source | ±12 | V |
ID@Tc=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS a 4,5 V1 | 5.8 | A |
ID@Tc=70℃ | Corrente di scarico continua, VGS a 4,5 V1 | 3.8 | A |
IDM | Corrente di scarico pulsata2 | 16 | A |
PD@TA=25℃ | Dissipazione di potenza totale3 | 2.1 | W |
TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ |
Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0 V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coefficiente di temperatura BVDSS | Riferimento a 25℃, ID=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2 | VGS=4,5 V, ID=5,5 A | --- | 24 | 28 | mΩ |
VGS=2,5 V, ID=3,5 A | --- | 30 | 45 | |||
VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, ID=250uA | 0,5 | 0,7 | 1.2 | V |
△VGS(esimo) | Coefficiente di temperatura VGS(th). | --- | -2.33 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=16 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=16 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transconduttanza diretta | VDS=5V, ID=5A | --- | 25 | --- | S |
Rg | Resistenza al cancello | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.5 | 3 | Ω |
Qg | Carica totale al gate (4,5 V) | VDS=10 V, VGS=4,5 V, ID=5,5 A | --- | 8.3 | 11.9 | nC |
Qgs | Tariffa gate-source | --- | 1.4 | 2.0 | ||
Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 2.2 | 3.2 | ||
Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=10 V, VGEN=4,5 V, RG=6Ω ID=5A, RL=10Ω | --- | 5.7 | 11.6 | ns |
Tr | Tempo di salita | --- | 34 | 63 | ||
Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 22 | 46 | ||
Tf | Tempo d'autunno | --- | 9.0 | 18.4 | ||
Ciss | Capacità di ingresso | VDS=10 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 625 | 889 | pF |
Cos | Capacità di uscita | --- | 69 | 98 | ||
Crs | Capacità di trasferimento inverso | --- | 61 | 88 |