MOSFET WINSOK SOT-23-3L WST2088 a canale N 20 V 8,8 A

MOSFET WINSOK SOT-23-3L WST2088 a canale N da 20 V 8,8 A

breve descrizione:

Numero di modello:WST2088

BVDSS:20 V

RDSON:8 mΩ

ID:8,8 A

Canale:Canale N

Pacchetto:SOT-23-3L

Prodotto estivo:La tensione del MOSFET WST2088 è 20 V, la corrente è 8,8 A, la resistenza è 8 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è SOT-23-3L.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, controller, dispositivi digitali, piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

I MOSFET WST2088 sono i transistor a canale N più avanzati sul mercato. Hanno una densità cellulare incredibilmente elevata, che si traduce in un RDSON e una carica di gate eccellenti. Questi MOSFET sono perfetti per piccole applicazioni di commutazione di potenza e commutazione di carico. Soddisfano i requisiti RoHS e Green Product e sono stati completamente testati per verificarne l'affidabilità.

Caratteristiche

Tecnologia Trench avanzata con elevata densità di celle, carica di gate super bassa ed eccellente riduzione dell'effetto Cdv/dt, che lo rendono un dispositivo ecologico.

Applicazioni

Applicazioni di alimentazione, circuiti con commutazione forzata e alta frequenza, alimentatori ininterrotti, sigarette elettroniche, controller, dispositivi elettronici, piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo.

numero materiale corrispondente

AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, ecc.

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	20	V
VGS	Tensione gate-source	±12	V
ID@Tc=25℃	Corrente di scarico continua, VGS a 4,5 V	8.8	A
ID@Tc=70℃	Corrente di scarico continua, VGS a 4,5 V	6.2	A
IDP	Corrente di drenaggio pulsata	40	A
PD@TA=25℃	Dissipazione di potenza totale	1.5	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 150	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 150	℃

Caratteristiche elettriche (TJ=25 ℃, se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=4,5 V, ID=6 A	---	8	13	mΩ
RDS(ON)		VGS=2,5 V, ID=5 A	---	10	19	mΩ
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=250uA	0,5	---	1.3	V
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Addebito totale al cancello	VDS=15 V, VGS=4,5 V, ID=6 A	---	16	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	3	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	4.5	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDS=10 V, VGS=4,5 V, RG=3,3 Ω ID=1 A	---	10	---	ns
Tr	Tempo di salita		---	13	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	28	---
Tf	Tempo d'autunno		---	7	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	1400	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	170	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	135	---