WST2078 Canale N&P 20 V/-20 V 3,8 A/-4,5 A SOT-23-6L MOSFET WINSOK
Descrizione generale
Il WST2078 è il miglior MOSFET per piccoli interruttori di potenza e applicazioni di carico. Ha un'elevata densità di celle che fornisce un eccellente RDSON e carica di gate. Soddisfa i requisiti RoHS e Green Product ed è stato approvato per l'affidabilità completa delle funzioni.
Caratteristiche
Tecnologia avanzata con trincee ad alta densità di celle, carica di gate estremamente bassa ed eccellente riduzione degli effetti Cdv/dt. Questo dispositivo è anche rispettoso dell'ambiente.
Applicazioni
La commutazione di piccola potenza sincrona al punto di carico ad alta frequenza è perfetta per l'uso in MB/NB/UMPC/VGA, reti di sistemi di alimentazione CC-CC, interruttori di carico, sigarette elettroniche, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici e beni di consumo elettronica.
numero materiale corrispondente
AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.
Parametri importanti
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità | |
| Canale N | Canale P | |||
| VDS | Tensione Drain-Source | 20 | -20 | V |
| VGS | Tensione gate-source | ±12 | ±12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS a 4,5 V1 | 3.8 | -4.5 | A |
| ID@Tc=70℃ | Corrente di scarico continua, VGS a 4,5 V1 | 2.8 | -2.6 | A |
| IDM | Corrente di scarico pulsata2 | 20 | -13 | A |
| PD@TA=25℃ | Dissipazione di potenza totale3 | 1.4 | 1.4 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | da -55 a 150 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0 V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficiente di temperatura BVDSS | Riferimento a 25℃, ID=1mA | --- | 0,024 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2 | VGS=4,5 V, ID=3 A | --- | 45 | 55 | mΩ |
| VGS=2,5 V, ID=1 A | --- | 60 | 80 | |||
| VGS=1,8 V, ID=1 A | --- | 85 | 120 | |||
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, ID=250uA | 0,5 | 0,7 | 1 | V |
| △VGS(esimo) | Coefficiente di temperatura VGS(th). | --- | -2.51 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=16 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±8 V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconduttanza diretta | VDS=5V, ID=1A | --- | 8 | --- | S |
| Rg | Resistenza al cancello | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.5 | 3.5 | Ω |
| Qg | Carica totale al gate (4,5 V) | VDS=10 V, VGS=10 V, ID=3 A | --- | 7.8 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 1.5 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 2.1 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=10 V, VGEN=4,5 V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω | --- | 2.4 | 4.3 | ns |
| Tr | Tempo di salita | --- | 13 | 23 | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 15 | 28 | ||
| Tf | Tempo d'autunno | --- | 3 | 5.5 | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=10 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 450 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 51 | --- | ||
| Crs | Capacità di trasferimento inverso | --- | 52 | --- |
