WST2078 Canale N&P 20 V/-20 V 3,8 A/-4,5 A SOT-23-6L MOSFET WINSOK

WST2078 Canale N&P 20 V/-20 V 3,8 A/-4,5 A MOSFET WINSOK SOT-23-6L Immagine in evidenza

breve descrizione:

Numero di modello:WST2078

BVDSS:20 V/-20 V

RDSON:45 mΩ/65 mΩ

ID:3,8 A/-4,5 A

Canale:Canale N&P

Pacchetto:SOT-23-6L

Prodotto estivo:Il MOSFET WST2078 ha valori di tensione di 20 V e -20 V.Può gestire correnti di 3,8 A e -4,5 A e ha valori di resistenza di 45 mΩ e 65 mΩ.Il MOSFET ha funzionalità di canale N&P ed è disponibile in un package SOT-23-6L.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, controller, prodotti digitali, elettrodomestici ed elettronica di consumo.

Inviaci un'e-mail PDF

Dettagli del prodotto

Applicazione

Tag dei prodotti

Descrizione generale

Il WST2078 è il miglior MOSFET per piccoli interruttori di potenza e applicazioni di carico.Ha un'elevata densità di celle che fornisce un eccellente RDSON e carica di gate.Soddisfa i requisiti RoHS e Green Product ed è stato approvato per l'affidabilità completa delle funzioni.

Caratteristiche

Tecnologia avanzata con trincee ad alta densità di celle, carica di gate estremamente bassa ed eccellente riduzione degli effetti Cdv/dt.Questo dispositivo è anche rispettoso dell'ambiente.

Applicazioni

La commutazione di piccola potenza sincrona al punto di carico ad alta frequenza è perfetta per l'uso in MB/NB/UMPC/VGA, reti di sistemi di alimentazione CC-CC, interruttori di carico, sigarette elettroniche, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici e beni di consumo elettronica.

numero materiale corrispondente

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione		Unità
Simbolo	Parametro	Canale N	Canale P	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	20	-20	V
VGS	Tensione gate-source	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Corrente di scarico continua, VGS a 4,5 V1	3.8	-4.5	A
ID@Tc=70℃	Corrente di scarico continua, VGS a 4,5 V1	2.8	-2.6	A
IDM	Corrente di scarico pulsata2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Dissipazione di potenza totale3	1.4	1.4	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 150	da -55 a 150	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 150	da -55 a 150	℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=4,5 V, ID=3 A	---	45	55	mΩ
		VGS=2,5 V, ID=1 A	---	60	80
		VGS=1,8 V, ID=1 A	---	85	120
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(esimo)	Coefficiente di temperatura VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-2.51	---	mV/℃
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=16 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=16 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±8 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconduttanza diretta	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Resistenza al cancello	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Carica totale al gate (4,5 V)	VDS=10 V, VGS=10 V, ID=3 A	---	7.8	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	1.5	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	2.1	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=10 V, VGEN=4,5 V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Ora di alzarsi		---	13	23
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	15	28
Tf	Tempo di caduta		---	3	5.5
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=10 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	450	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	51	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	52	---