WST2011 MOSFET WINSOK doppio canale P -20 V -3,2 A SOT-23-6L
Descrizione generale
I MOSFET WST2011 sono i transistor P-ch più avanzati disponibili, caratterizzati da una densità di celle senza rivali. Offrono prestazioni eccezionali, con RDSON e carica di gate bassi, che li rendono ideali per applicazioni di commutazione di carico e commutazione di piccola potenza. Inoltre, il WST2011 soddisfa gli standard RoHS e Green Product e vanta l'approvazione dell'affidabilità completa.
Caratteristiche
La tecnologia Trench avanzata consente una densità cellulare più elevata, risultando in un dispositivo ecologico con carica di gate estremamente bassa ed eccellente riduzione dell'effetto CdV/dt.
Applicazioni
La commutazione di piccola potenza sincrona al punto di carico ad alta frequenza è adatta per l'uso in MB/NB/UMPC/VGA, reti di sistemi di alimentazione CC-CC, interruttori di carico, sigarette elettroniche, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo .
numero materiale corrispondente
SU FDC634P,VISHAY Si3443DDV,NXP PMDT670UPE,
Parametri importanti
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità | |
| 10 secondi | Stato stazionario | |||
| VDS | Tensione Drain-Source | -20 | V | |
| VGS | Tensione gate-source | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS @ -4,5 V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Corrente di scarico continua, VGS @ -4,5 V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Corrente di scarico pulsata2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Dissipazione di potenza totale3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Dissipazione di potenza totale3 | 1.2 | 0.9 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ | |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ | |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficiente di temperatura BVDSS | Riferimento a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2 | VGS=-4,5 V, ID=-2 A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-1 A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,5 | -1.0 | -1,5 | V |
| △VGS(esimo) | Coefficiente di temperatura VGS(th). | --- | 3,95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconduttanza diretta | VDS=-5V, ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Carica totale del gate (-4,5 V) | VDS=-15 V, VGS=-4,5 V, ID=-2 A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=-15 V, VGS=-4,5 V, RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Tempo di salita | --- | 9.3 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Tempo d'autunno | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 95 | --- | ||
| Crs | Capacità di trasferimento inverso | --- | 68 | --- |
