WSR200N08 MOSFET WINSOK a canale N 80V 200A TO-220-3L

breve descrizione:

Numero di modello:WSR200N08

BVDSS:80 V

RDSON:2,9 mΩ

ID:200A

Canale:Canale N

Pacchetto:TO-220-3L

Prodotto estivo:Il MOSFET WSR200N08 può gestire fino a 80 volt e 200 ampere con una resistenza di 2,9 milliohm.È un dispositivo a canale N e viene fornito in un pacchetto TO-220-3L.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, motori, sistemi di gestione delle batterie, fonti di alimentazione di riserva, veicoli aerei senza equipaggio, dispositivi sanitari, apparecchiature di ricarica per veicoli elettrici, unità di controllo, macchine da stampa 3D, dispositivi elettronici, piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

Il WSR200N08 è il MOSFET N-Ch trench dalle prestazioni più elevate con densità di celle estremamente elevata, che fornisce eccellente RDSON e carica di gate per la maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni.Il WSR200N08 soddisfa i requisiti RoHS e di prodotto ecologico, garantito al 100% da EAS con affidabilità completa delle funzioni approvata.

Caratteristiche

Tecnologia Trench avanzata ad alta densità di celle, carica gate super bassa, eccellente riduzione dell'effetto CdV/dt, garanzia EAS al 100%, dispositivo ecologico disponibile.

Applicazioni

Applicazioni switching, gestione energetica per sistemi inverter, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, BMS, alimentatori di emergenza, droni, medicale, ricarica auto, controller, stampanti 3D, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo, ecc.

numero materiale corrispondente

AO AOT480L, SU FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, ecc.

Parametri importanti

Caratteristiche elettriche (TJ=25℃, se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Valutazione	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	80	V
VGS	Tensione gate-source	±25	V
ID@TC=25℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Corrente di scarico pulsata2,TC=25°C	790	A
EAS	Energia da valanga, impulso singolo, L=0,5 mH	1496	mJ
IAS	Corrente da valanga, impulso singolo, L=0,5 mH	200	A
PD@TC=25℃	Dissipazione di potenza totale4	345	W
PD@TC=100℃	Dissipazione di potenza totale4	173	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 175	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	175	℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=10 V, ID=100 A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(esimo)	Coefficiente di temperatura VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±25 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
Rg	Resistenza al cancello	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Carica totale al gate (10 V)	VDS=80 V, VGS=10 V, ID=30 A	---	197	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	31	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	75	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=50 V, VGS=10 V, RG=3 Ω, ID=30 A	---	28	---	ns
Tr	Ora di alzarsi		---	18	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	42	---
Tf	Tempo di caduta		---	54	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	8154	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	1029	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	650	---