WSR140N12 MOSFET WINSOK a canale N 120 V 140 A TO-220-3L

breve descrizione:

Numero di modello:WSR140N12

BVDSS:120 V

RDSON:5 mΩ

ID:140A

Canale:Canale N

Pacchetto:TO-220-3L

Prodotto estivo:La tensione del MOSFET WSR140N12 è 120 V, la corrente è 140 A, la resistenza è 5 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è TO-220-3L.

Applicazioni:Alimentazione, apparecchiature medicali, grandi elettrodomestici, BMS, ecc.

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Applicazione

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Descrizione generale

Il WSR140N12 è il MOSFET N-ch trench dalle prestazioni più elevate con densità di celle estremamente elevata, che fornisce eccellenti RDSON e carica di gate per la maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni.Il WSR140N12 soddisfa i requisiti RoHS e di prodotto ecologico, garantito al 100% da EAS con affidabilità completa delle funzioni approvata.

Caratteristiche

Tecnologia Trench avanzata ad alta densità di celle, carica gate super bassa, eccellente riduzione dell'effetto CdV/dt, EAS garantito al 100%, dispositivo ecologico disponibile.

Applicazioni

Convertitore buck sincrono al punto di carico ad alta frequenza, sistema di alimentazione CC-CC di rete, alimentazione, dispositivi medici, grandi elettrodomestici, BMS ecc.

numero materiale corrispondente

ST STP40NF12 ecc.

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	120	V
VGS	Tensione gate-source	±20	V
ID	Corrente di scarico continua, VGS a 10 V (TC=25 ℃)	140	A
IDM	Corrente di drenaggio pulsata	330	A
EAS	Energia da valanga a impulso singolo	400	mJ
PD	Dissipazione di potenza totale... C=25℃)	192	W
RθJA	Resistenza termica, giunzione-ambiente	62	℃/W
RθJC	Resistenza termica, custodia di giunzione	0,65	℃/W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 150	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 150	℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250uA	120	---	---	V
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=10 V, ID=30 A	---	5.0	6.5	mΩ
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=120 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±20 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
Qg	Addebito totale al cancello	VDS=50 V, VGS=10 V, ID=15 A	---	68.9	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	18.1	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	15.9	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=50V, VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	Ora di alzarsi		---	33.0	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	59,5	---
Tf	Tempo di caduta		---	11.7	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=50 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	5823	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	778.3	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	17.5	---