WSP6067A Canale N&P 60 V/-60 V 7 A/-5 A SOP-8 MOSFET WINSOK

WSP6067A MOSFET WINSOK SOP-8 a canale N&P 60 V/-60 V 7 A/-5 A Immagine in evidenza

breve descrizione:

Numero di modello:WSP6067A

BVDSS:60 V/-60 V

RDSON:38 mΩ/80 mΩ

ID:7A/-5A

Canale:Canale N&P

Pacchetto:SOP-8

Prodotto estivo:Il MOSFET WSP6067A ha un intervallo di tensione di 60 volt positivo e negativo, un intervallo di corrente di 7 A positivo e 5 A negativo, un intervallo di resistenza di 38 milliohm e 80 milliohm, un canale N&P ed è confezionato in SOP-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, motori, droni, assistenza sanitaria, caricabatterie per auto, controlli, dispositivi digitali, piccoli elettrodomestici ed elettronica per i consumatori.

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Applicazione

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Descrizione generale

I MOSFET WSP6067A sono i più avanzati per la tecnologia trench P-ch, con un'altissima densità di celle. Forniscono prestazioni eccellenti sia in termini di RDSON che di carica di gate, adatti alla maggior parte dei convertitori buck sincroni. Questi MOSFET soddisfano i criteri RoHS e Green Product, con EAS al 100% che garantisce la piena affidabilità funzionale.

Caratteristiche

La tecnologia avanzata consente la formazione di trincee cellulari ad alta densità, con conseguente carica di gate estremamente bassa e decadimento dell'effetto CdV/dt superiore. I nostri dispositivi sono dotati di una garanzia EAS al 100% e sono rispettosi dell'ambiente.

Applicazioni

Convertitore buck sincrono al punto di carico ad alta frequenza, sistema di alimentazione CC-CC di rete, interruttore di carico, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, droni, apparecchiature mediche, caricabatterie per auto, controller, dispositivi elettronici, piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo .

numero materiale corrispondente

AOS

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione		Unità
Simbolo	Parametro	Canale N	Canale P	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	60	-60	V
VGS	Tensione gate-source	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1	7.0	-5.0	A
ID@TC=100℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1	4.0	-2,5	A
IDM	Corrente di scarico pulsata2	28	-20	A
EAS	Energia da valanga a impulso singolo3	22	28	mJ
IAS	Corrente di valanga	21	-24	A
PD@TC=25℃	Dissipazione di potenza totale4	2.0	2.0	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 150	da -55 a 150	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 150	da -55 a 150	℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=10 V, ID=5 A	---	38	52	mΩ
RDS(ON)		VGS=4,5 V, ID=4 A	---	55	75	mΩ
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=250uA	1	2	3	V
△VGS(esimo)	Coefficiente di temperatura VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±20 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconduttanza diretta	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Resistenza al cancello	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Carica totale al gate (4,5 V)	VDS=48 V, VGS=4,5 V, ID=4 A	---	19	25	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	2.6	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	4.1	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=30 V, VGS=10 V, RG=3,3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Tempo di salita		---	34	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	23	---
Tf	Tempo d'autunno		---	6	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	1027	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	65	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	45	---