WSP4888 MOSFET WINSOK SOP-8 doppio canale N 30 V 9,8 A

MOSFET WINSOK SOP-8 doppio canale N 30 V 9,8 A WSP4888 Immagine in evidenza

breve descrizione:

Numero di modello:WSP4888

BVDSS:30 V

RDSON:13,5 mΩ

ID:9,8 A

Canale:Doppio canale N

Pacchetto:SOP-8

Prodotto estivo:La tensione del MOSFET WSP4888 è 30 V, la corrente è 9,8 A, la resistenza è 13,5 mΩ, il canale è Dual N-Channel e il package è SOP-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, motori, droni, assistenza sanitaria, caricabatterie per auto, controlli, dispositivi digitali, piccoli elettrodomestici ed elettronica per i consumatori.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

Il WSP4888 è un transistor ad alte prestazioni con una struttura a celle dense, ideale per l'uso nei convertitori buck sincroni. Vanta eccellenti tariffe RDSON e gate, rendendolo la scelta migliore per queste applicazioni. Inoltre, il WSP4888 soddisfa sia i requisiti RoHS che quelli di prodotto ecologico e viene fornito con una garanzia EAS al 100% per un funzionamento affidabile.

Caratteristiche

L'avanzata tecnologia Trench presenta un'elevata densità di celle e una carica di gate estremamente bassa, riducendo significativamente l'effetto CdV/dt. I nostri dispositivi sono dotati di una garanzia EAS al 100% e di opzioni rispettose dell'ambiente.

I nostri MOSFET sono sottoposti a rigorose misure di controllo qualità per garantire che soddisfino i più elevati standard del settore. Ogni unità viene accuratamente testata per prestazioni, durata e affidabilità, garantendo una lunga durata del prodotto. Il suo design robusto gli consente di resistere a condizioni di lavoro estreme, garantendo la funzionalità ininterrotta dell'apparecchiatura.

Prezzi competitivi: nonostante la loro qualità superiore, i nostri MOSFET hanno un prezzo altamente competitivo e offrono notevoli risparmi sui costi senza compromettere le prestazioni. Crediamo che tutti i consumatori debbano avere accesso a prodotti di alta qualità e la nostra strategia di prezzo riflette questo impegno.

Ampia compatibilità: i nostri MOSFET sono compatibili con una varietà di sistemi elettronici, rendendoli una scelta versatile per produttori e utenti finali. Si integra perfettamente nei sistemi esistenti, migliorando le prestazioni complessive senza richiedere importanti modifiche alla progettazione.

Applicazioni

Convertitore buck sincrono al punto di carico ad alta frequenza per l'uso in sistemi MB/NB/UMPC/VGA, sistemi di alimentazione CC-CC di rete, interruttori di carico, sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, motori, droni, apparecchiature mediche, caricabatterie per auto, controller , prodotti digitali, piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo.

numero materiale corrispondente

AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	30	V
VGS	Tensione gate-source	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1	9.8	A
ID@TC=70℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1	8.0	A
IDM	Corrente di scarico pulsata2	45	A
EAS	Energia da valanga a impulso singolo3	25	mJ
IAS	Corrente di valanga	12	A
PD@TA=25℃	Dissipazione di potenza totale4	2.0	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 150	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 150	℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=1mA	---	0,034	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=10 V, ID=8,5 A	---	13.5	18	mΩ
RDS(ON)						mΩ
		VGS=4,5 V, ID=5 A	---	18	25
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=250uA	1.5	1.8	2.5	V
		VGS=VDS, ID=250uA
△VGS(esimo)	Coefficiente di temperatura VGS(th).		---	-5.8	---	mV/℃
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio					uA
		VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃	---	---	5
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±20 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconduttanza diretta	VDS=5V, ID=8A	---	9	---	S
Rg	Resistenza al cancello	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.8	2.9	Ω
Qg	Carica totale al gate (4,5 V)	VDS=15 V, VGS=4,5 V, ID=8,8 A	---	6	8.4	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	1.5	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	2.5	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=15Ω	---	7.5	9.8	ns
Tr	Tempo di salita		---	9.2	19
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	19	34
Tf	Tempo d'autunno		---	4.2	8
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	590	701	pF
Cos	Capacità di uscita		---	98	112
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	59	91