WSP4888 MOSFET WINSOK SOP-8 doppio canale N 30 V 9,8 A

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WSP4888 MOSFET WINSOK SOP-8 doppio canale N 30 V 9,8 A

breve descrizione:


  • Numero di modello:WSP4888
  • BVDSS:30 V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • ID:9,8 A
  • Canale:Doppio canale N
  • Pacchetto:SOP-8
  • Prodotto estivo:La tensione del MOSFET WSP4888 è 30 V, la corrente è 9,8 A, la resistenza è 13,5 mΩ, il canale è Dual N-Channel e il package è SOP-8.
  • Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, motori, droni, assistenza sanitaria, caricabatterie per auto, controlli, dispositivi digitali, piccoli elettrodomestici ed elettronica per i consumatori.
  • Dettagli del prodotto

    Applicazione

    Tag dei prodotti

    Descrizione generale

    Il WSP4888 è un transistor ad alte prestazioni con una struttura a celle dense, ideale per l'uso nei convertitori buck sincroni.Vanta eccellenti tariffe RDSON e gate, rendendolo la scelta migliore per queste applicazioni.Inoltre, il WSP4888 soddisfa sia i requisiti RoHS che quelli di prodotto ecologico e viene fornito con una garanzia EAS al 100% per un funzionamento affidabile.

    Caratteristiche

    L'avanzata tecnologia Trench presenta un'elevata densità di celle e una carica di gate estremamente bassa, riducendo significativamente l'effetto CdV/dt.I nostri dispositivi sono dotati di una garanzia EAS al 100% e di opzioni rispettose dell'ambiente.

    I nostri MOSFET sono sottoposti a rigorose misure di controllo qualità per garantire che soddisfino i più elevati standard del settore.Ogni unità viene accuratamente testata per prestazioni, durata e affidabilità, garantendo una lunga durata del prodotto.Il suo design robusto gli consente di resistere a condizioni di lavoro estreme, garantendo il funzionamento ininterrotto dell'apparecchiatura.

    Prezzi competitivi: nonostante la loro qualità superiore, i nostri MOSFET hanno un prezzo altamente competitivo e offrono notevoli risparmi sui costi senza compromettere le prestazioni.Crediamo che tutti i consumatori debbano avere accesso a prodotti di alta qualità e la nostra strategia di prezzo riflette questo impegno.

    Ampia compatibilità: i nostri MOSFET sono compatibili con una varietà di sistemi elettronici, rendendoli una scelta versatile per produttori e utenti finali.Si integra perfettamente nei sistemi esistenti, migliorando le prestazioni complessive senza richiedere importanti modifiche alla progettazione.

    Applicazioni

    Convertitore buck sincrono al punto di carico ad alta frequenza per l'uso in sistemi MB/NB/UMPC/VGA, sistemi di alimentazione CC-CC di rete, interruttori di carico, sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, motori, droni, apparecchiature mediche, caricabatterie per auto, controller , prodotti digitali, piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo.

    numero materiale corrispondente

    AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

    Parametri importanti

    Simbolo Parametro Valutazione Unità
    VDS Tensione Drain-Source 30 V
    VGS Tensione gate-source ±20 V
    ID@TC=25℃ Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70℃ Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM Corrente di scarico pulsata2 45 A
    EAS Energia da valanga a impulso singolo3 25 mJ
    IAS Corrente di valanga 12 A
    PD@TA=25℃ Dissipazione di potenza totale4 2.0 W
    TSTG Intervallo di temperatura di conservazione da -55 a 150
    TJ Intervallo di temperatura della giunzione operativa da -55 a 150
    Simbolo Parametro Condizioni minimo Tip. Massimo. Unità
    BVDSS Tensione di rottura drain-source VGS=0 V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coefficiente di temperatura BVDSS Riferimento a 25℃, ID=1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS(ON) Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2 VGS=10 V, ID=8,5 A --- 13.5 18
           
        VGS=4,5 V, ID=5 A --- 18 25  
    VGS(esimo) Tensione di soglia del gate VGS=VDS, ID=250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(esimo) Coefficiente di temperatura VGS(th).   --- -5.8 --- mV/℃
    IDSS Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃ --- --- 5  
    IGSS Corrente di dispersione gate-source VGS=±20 V, VDS=0 V --- --- ±100 nA
    gfs Transconduttanza diretta VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Resistenza al cancello VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Carica totale al gate (4,5 V) VDS=15 V, VGS=4,5 V, ID=8,8 A --- 6 8.4 nC
    Qgs Tariffa gate-source --- 1.5 ---
    Qgd Tassa di scarico del gate --- 2.5 ---
    Td(acceso) Tempo di ritardo all'accensione VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Ora di alzarsi --- 9.2 19
    Td(spento) Tempo di ritardo allo spegnimento --- 19 34
    Tf Tempo di caduta --- 4.2 8
    Ciss Capacità di ingresso VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz --- 590 701 pF
    Cos Capacità di uscita --- 98 112
    Crs Capacità di trasferimento inverso --- 59 91

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