WSP4447 MOSFET WINSOK SOP-8 canale P -40 V -11 A

MOSFET WINSOK SOP-8 WSP4447 canale P -40 V -11 A Immagine in evidenza

breve descrizione:

Numero di modello:WSP4447

BVDSS:-40 V

RDSON:13 mΩ

ID:-11A

Canale:Canale P

Pacchetto:SOP-8

Prodotto estivo:La tensione del MOSFET WSP4447 è -40 V, la corrente è -11 A, la resistenza è 13 mΩ, il canale è P-Channel e il package è SOP-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, motori, droni, dispositivi medici, caricabatterie per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

Il WSP4447 è un MOSFET ad alte prestazioni che utilizza la tecnologia trench e ha un'elevata densità di celle.Offre eccellenti RDSON e carica di gate, rendendolo adatto all'uso nella maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni.Il WSP4447 soddisfa gli standard RoHS e Green Product e viene fornito con la garanzia EAS al 100% per la massima affidabilità.

Caratteristiche

La tecnologia Trench avanzata consente una densità cellulare più elevata, risultando in un dispositivo ecologico con carica di gate estremamente bassa ed eccellente riduzione dell'effetto CdV/dt.

Applicazioni

Convertitore ad alta frequenza per una varietà di dispositivi elettronici
Questo convertitore è progettato per alimentare in modo efficiente un'ampia gamma di dispositivi, tra cui laptop, console di gioco, apparecchiature di rete, sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, motori, droni, dispositivi medici, caricabatterie per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici e dispositivi di consumo. elettronica.

numero materiale corrispondente

AOS AO4425 AO4485, SU FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK, RUICHIPS RU40L10H.

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	-40	V
VGS	Tensione gate-source	±20	V
ID@TA=25℃	Corrente di scarico continua, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	Corrente di scarico continua, VGS @ -10V1	-9.0	A
IDM a	Corrente di drenaggio pulsata 300 µs (VGS=-10 V)	-44	A
EAS b	Energia da valanga, impulso singolo (L=0,1 mH)	54	mJ
IAS b	Corrente da valanga, impulso singolo (L=0,1 mH)	-33	A
PD@TA=25℃	Dissipazione di potenza totale4	2.0	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 150	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 150	℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=-10 V, ID=-13 A	---	13	16	mΩ
RDS(ON)						mΩ
		VGS=-4,5 V, ID=-5 A	---	18	26
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=-250uA	-1.4	-1.9	-2.4	V
		VGS=VDS, ID=-250uA
△VGS(esimo)	Coefficiente di temperatura VGS(th).		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio					uA
		VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-5
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±20 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconduttanza diretta	VDS=-5V, ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Carica totale al gate (-4,5 V)	VDS=-20 V, VGS=-10 V, ID=-11 A	---	32	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	5.2	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	8	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=-20 V, VGS=-10 V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Ora di alzarsi		---	12	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	41	---
Tf	Tempo di caduta		---	22	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1500	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	235	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	180	---