WSP4099 MOSFET WINSOK SOP-8 doppio canale P -40 V -6,5 A

MOSFET WINSOK SOP-8 doppio canale P -40 V -6,5 A WSP4099 Immagine in evidenza

breve descrizione:

Numero di modello:WSP4099

BVDSS:-40 V

RDSON:30 mΩ

ID:-6,5 A

Canale:Doppio canale P

Pacchetto:SOP-8

Prodotto estivo:Il MOSFET WSP4099 ha una tensione di -40 V, una corrente di -6,5 A, una resistenza di 30 mΩ, un doppio canale P e viene fornito in un pacchetto SOP-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, droni, dispositivi medici, caricabatterie per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo.

Inviaci un'e-mail PDF

Dettagli del prodotto

Applicazione

Tag dei prodotti

Descrizione generale

Il WSP4099 è un potente MOSFET P-ch trench con un'elevata densità di celle. Fornisce un RDSON e una carica di gate eccellenti, rendendolo adatto alla maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni. Soddisfa gli standard RoHS e GreenProduct e dispone della garanzia EAS al 100% con approvazione dell'affidabilità completa delle funzioni.

Caratteristiche

La tecnologia Trench avanzata con elevata densità di celle, carica di gate ultra bassa, eccellente decadimento dell'effetto CdV/dt e una garanzia EAS al 100% sono tutte caratteristiche dei nostri dispositivi ecologici prontamente disponibili.

Applicazioni

Convertitore buck sincrono al punto di carico ad alta frequenza per MB/NB/UMPC/VGA, sistema di alimentazione CC-CC di rete, interruttore di carico, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, droni, assistenza medica, caricabatterie per auto, controller, prodotti digitali , piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo.

numero materiale corrispondente

SU FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A,Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	-40	V
VGS	Tensione gate-source	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente di scarico continua, -VGS @ -10V1	-6,5	A
ID@TC=100℃	Corrente di scarico continua, -VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Corrente di scarico pulsata2	-22	A
EAS	Energia da valanga a impulso singolo3	25	mJ
IAS	Corrente di valanga	-10	A
PD@TC=25℃	Dissipazione di potenza totale4	2.0	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 150	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 150	℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=-1mA	---	-0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=-10 V, ID=-6,5 A	---	30	38	mΩ
RDS(ON)		VGS=-4,5 V, ID=-4,5 A	---	46	62	mΩ
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=-250uA	-1,5	-2.0	-2,5	V
△VGS(esimo)	Coefficiente di temperatura VGS(th).	VGS=VDS, ID=-250uA	---	3.72	---	V/℃
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±20 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconduttanza diretta	VDS=-5V, ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Carica totale del gate (-4,5 V)	VDS=-20 V, VGS=-4,5 V, ID=-6,5 A	---	7.5	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	2.4	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	3.5	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Tempo di salita		---	7	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	31	---
Tf	Tempo d'autunno		---	17	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	668	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	98	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	72	---