WSP4099 MOSFET WINSOK SOP-8 doppio canale P -40 V -6,5 A
Descrizione generale
Il WSP4099 è un potente MOSFET P-ch trench con un'elevata densità di celle.Fornisce un RDSON e una carica di gate eccellenti, rendendolo adatto alla maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni.Soddisfa gli standard RoHS e GreenProduct e dispone della garanzia EAS al 100% con approvazione dell'affidabilità completa delle funzioni.
Caratteristiche
La tecnologia Trench avanzata con elevata densità di celle, carica di gate ultra bassa, eccellente decadimento dell'effetto CdV/dt e una garanzia EAS al 100% sono tutte caratteristiche dei nostri dispositivi ecologici prontamente disponibili.
Applicazioni
Convertitore buck sincrono al punto di carico ad alta frequenza per MB/NB/UMPC/VGA, sistema di alimentazione CC-CC di rete, interruttore di carico, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, droni, assistenza medica, caricabatterie per auto, controller, prodotti digitali , piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo.
numero materiale corrispondente
SU FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A,Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.
Parametri importanti
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | -40 | V |
| VGS | Tensione gate-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di scarico continua, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente di scarico continua, -VGS @ -10V1 | -4.5 | A |
| IDM | Corrente di scarico pulsata2 | -22 | A |
| EAS | Energia da valanga a impulso singolo3 | 25 | mJ |
| IAS | Corrente di valanga | -10 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipazione di potenza totale4 | 2.0 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficiente di temperatura BVDSS | Riferimento a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2 | VGS=-10 V, ID=-6,5 A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4,5 V, ID=-4,5 A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, ID=-250uA | -1,5 | -2.0 | -2,5 | V |
| △VGS(esimo) | Coefficiente di temperatura VGS(th). | --- | 3.72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconduttanza diretta | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Carica totale al gate (-4,5 V) | VDS=-20 V, VGS=-4,5 V, ID=-6,5 A | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 3.5 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Ora di alzarsi | --- | 7 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Tempo di caduta | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 98 | --- | ||
| Crs | Capacità di trasferimento inverso | --- | 72 | --- |
