WSP4088 MOSFET WINSOK SOP-8 a canale N 40 V 11 A

MOSFET WINSOK SOP-8 WSP4088 a canale N 40 V 11 A Immagine in evidenza

breve descrizione:

Numero di modello:WSP4088

BVDSS:40 V

RDSON:13 mΩ

ID:11A

Canale:Canale N

Pacchetto:SOP-8

Prodotto estivo:La tensione del MOSFET WSP4088 è 40 V, la corrente è 11 A, la resistenza è 13 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è SOP-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, droni, dispositivi medici, ricarica per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo, ecc.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

Il WSP4088 è il MOSFET a canale N trench dalle prestazioni più elevate con densità di celle molto elevata che fornisce RDSON e carica di gate eccellenti per la maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni.WSP4088 è conforme alla RoHS e ai requisiti dei prodotti ecologici, garanzia EAS al 100%, affidabilità completa approvata.

Caratteristiche

Disponibili dispositivi affidabili e robusti, senza piombo ed ecologici

Applicazioni

Gestione energetica in computer desktop o convertitori CC/CC, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, droni, applicazioni mediche, ricarica per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo, ecc.

numero materiale corrispondente

AO AO4884 AO4882, SU FDS4672A, PANJIT PJL9424, DINTEK DTM4916 ecc.

Parametri importanti

Valori massimi assoluti (TA = 25 C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro		Valutazione	Unità
Valutazioni comuni
VDSS	Tensione Drain-Source		40	V
VGSS	Tensione gate-source		±20	V
TJ	Temperatura massima di giunzione		150	°C
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione		da -55 a 150	°C
IS	Corrente diretta continua del diodo	TA=25°C	2	A
ID	Corrente di scarico continua	TA=25°C	11	A
ID	Corrente di scarico continua	TA=70°C	8.4
IDM a	Corrente di drenaggio pulsata	TA=25°C	30
PD	Massima dissipazione di potenza	TA=25°C	2.08	W
PD	Massima dissipazione di potenza	TA=70°C	1.3	W
RqJA	Resistenza termica-giunzione all'ambiente	t £ 10s	30	°C/W
RqJA	Resistenza termica-giunzione all'ambiente	Stato stazionario	60
RqJL	Giunzione a resistenza termica al piombo	Stato stazionario	20
IAS b	Corrente di valanga, impulso singolo	L=0,1 mH	23	A
EAS b	Energia da valanga, impulso singolo	L=0,1 mH	26	mJ

Nota a:Massimo.la corrente è limitata dal filo di collegamento.
Nota b:Testato UIS e larghezza dell'impulso limitata dalla temperatura massima di giunzione di 150°C (temperatura iniziale Tj=25°C).

Caratteristiche elettriche (TA = 25 C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Condizioni di prova		minimo	Tip.	Massimo.	Unità
Caratteristiche statiche
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, IDS=250 mA		40	-	-	V
IDSS	Corrente di assorbimento della tensione di gate zero	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Corrente di assorbimento della tensione di gate zero		TJ=85°C	-	-	30	mA
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VDS=VGS, IDS=250mA		1.5	1.8	2.5	V
IGSS	Corrente di dispersione del gate	VGS=±20 V, VDS=0 V		-	-	±100	nA
RDS(ON)c	Resistenza allo stato attivo della sorgente di drenaggio	VGS=10 V, IDS=7 A		-	10.5	13	mW
			TJ=125°C	-	15.75	-
		VGS=4,5 V, IDS=5 A		-	12	16
Gfs	Transconduttanza diretta	VDS=5V, IDS=15A		-	31	-	S
Caratteristiche dei diodi
VSD c	Tensione diretta del diodo	ISD=10A, VGS=0V		-	0.9	1.1	V
trr	Tempo di recupero inverso	VDD=20 V,ISD=10 A, dlSD/dt=100 A/ms		-	15.2	-	ns
ta	Tempo di ricarica			-	9.4	-
tb	Tempo di scarica			-	5.8	-
Qrr	Tassa di recupero inverso			-	9.5	-	nC
Caratteristiche dinamiche d
RG	Resistenza al cancello	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		0,7	1.1	1.8	W
Ciss	Capacità di ingresso	VGS=0 V, VDS=20 V, frequenza=1,0 MHz		-	1125	-	pF
Cos	Capacità di uscita			-	132	-
Crs	Capacità di trasferimento inverso			-	70	-
td(ON)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W		-	12.6	-	ns
tr	Accendi il tempo di salita			-	10	-
td(SPENTO)	Tempo di ritardo nello spegnimento			-	23.6	-
tf	Disattiva il tempo autunnale			-	6	-
Caratteristiche della carica gate d
Qg	Addebito totale al cancello	VDS=20 V, VGS=4,5 V, IDS=7 A		-	9.4	-	nC
Qg	Addebito totale al cancello	VDS=20 V, VGS=10 V, IDS=7 A		-	20	28
Qgth	Addebito soglia			-	2	-
Qgs	Tariffa gate-source			-	3.9	-
Qgd	Tassa di scarico del gate			-	3	-