WSM340N10G MOSFET WINSOK a canale N 100 V 340 A TOLL-8L

WSM340N10G MOSFET WINSOK TOLL-8L a canale N 100 V 340 A Immagine in evidenza

breve descrizione:

Numero di modello:WSM340N10G

BVDSS:100 V

RDSON:1,6 mΩ

ID:340A

Canale:Canale N

Pacchetto:PEDAGGIO-8L

Prodotto estivo:La tensione del MOSFET WSM340N10G è 100 V, la corrente è 340 A, la resistenza è 1,6 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è TOLL-8L.

Applicazioni:Attrezzature mediche, droni, alimentatori PD, alimentatori LED, attrezzature industriali, ecc.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

Il WSM340N10G è il MOSFET N-Ch trench dalle prestazioni più elevate con densità di celle estremamente elevata, che fornisce eccellente RDSON e carica di gate per la maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni.Il WSM340N10G soddisfa i requisiti RoHS e di prodotto ecologico, garantito al 100% da EAS con affidabilità completa delle funzioni approvata.

Caratteristiche

Tecnologia Trench avanzata ad alta densità di celle, carica gate super bassa, eccellente riduzione dell'effetto CdV/dt, EAS garantito al 100%, dispositivo ecologico disponibile.

Applicazioni

Raddrizzamento sincrono, convertitore DC/DC, interruttore di carico, apparecchiature mediche, droni, alimentatori PD, alimentatori LED, apparecchiature industriali, ecc.

Parametri importanti

Valutazioni massime assolute

Simbolo	Parametro	Valutazione	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	100	V
VGS	Tensione gate-source	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente di scarico continua, VGS a 10 V	340	A
ID@TC=100℃	Corrente di scarico continua, VGS a 10 V	230	A
IDM	Corrente di drenaggio pulsata..TC=25°C	1150	A
EAS	Energia da valanga, impulso singolo, L=0,5 mH	1800	mJ
IAS	Corrente da valanga, impulso singolo, L=0,5 mH	120	A
PD@TC=25℃	Dissipazione di potenza totale	375	W
PD@TC=100℃	Dissipazione di potenza totale	187	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 175	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	175	℃

Caratteristiche elettriche (TJ=25℃, se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza on-source di drenaggio statico	VGS=10 V, ID=50 A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(esimo)	Coefficiente di temperatura VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=85 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=85 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±25 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
Rg	Resistenza al cancello	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Carica totale al gate (10 V)	VDS=50 V, VGS=10 V, ID=50 A	---	260	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	80	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	60	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=50 V, VGS=10 V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Ora di alzarsi		---	50	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	228	---
Tf	Tempo di caduta		---	322	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=40 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	13900	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	6160	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	220	---