WSM320N04G MOSFET WINSOK TOLL-8L a canale N 40V 320A

breve descrizione:

Numero di modello:WSM320N04G

BVDSS:40 V

RDSON:1,2 mΩ

ID:320A

Canale:Canale N

Pacchetto:PEDAGGIO-8L

Prodotto estivo:Il MOSFET WSM320N04G ha una tensione di 40 V, una corrente di 320 A, una resistenza di 1,2 mΩ, un canale N e un package TOLL-8L.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, ricarica wireless, droni, medicale, ricarica auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo.

Inviaci un'e-mail PDF

Dettagli del prodotto

Applicazione

Tag dei prodotti

Descrizione generale

Il WSM320N04G è un MOSFET ad alte prestazioni che utilizza un design a trincea e ha una densità di celle molto elevata.Dispone di RDSON e carica di gate eccellenti ed è adatto per la maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni.Il WSM320N04G soddisfa i requisiti RoHS e Green Product ed è garantito con EAS al 100% e affidabilità completa delle funzioni.

Caratteristiche

Tecnologia Trench avanzata ad alta densità di celle, caratterizzata anche da una bassa carica di gate per prestazioni ottimali.Inoltre, vanta un eccellente abbattimento dell'effetto CdV/dt, una garanzia EAS al 100% e un'opzione ecologica.

Applicazioni

Convertitore buck sincrono al punto di carico ad alta frequenza, sistemi di alimentazione CC-CC di rete, applicazioni per utensili elettrici, sigarette elettroniche, ricarica wireless, droni, applicazioni mediche, ricarica per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici ed elettronica di consumo.

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	40	V
VGS	Tensione gate-source	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Corrente di scarico pulsata2	900	A
EAS	Energia da valanga a impulso singolo3	980	mJ
IAS	Corrente di valanga	70	A
PD@TC=25℃	Dissipazione di potenza totale4	250	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 175	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 175	℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=1mA	---	0,050	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=10 V, ID=25 A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=4,5 V, ID=20 A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(esimo)	Coefficiente di temperatura VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=40 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=40 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±20 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconduttanza diretta	VDS=5 V, ID=50 A	---	160	---	S
Rg	Resistenza al cancello	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Carica totale al gate (10 V)	VDS=20 V, VGS=10 V, ID=25 A	---	130	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	43	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	83	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=20 V, VGEN=4,5 V, RG=2,7 Ω, ID=1 A.	---	30	---	ns
Tr	Ora di alzarsi		---	115	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	95	---
Tf	Tempo di caduta		---	80	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=20 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	8100	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	1200	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	800	---