WSF70P02 MOSFET WINSOK a canale P -20 V -70 A TO-252

WSF70P02 MOSFET WINSOK TO-252 a canale P -20 V -70 A Immagine in evidenza

breve descrizione:

Numero di modello:WSF70P02

BVDSS:-20 V

RDSON:6,8 mΩ

ID:-70A

Canale:Canale P

Pacchetto:TO-252

Prodotto estivo:Il MOSFET WSF70P02 ha una tensione di -20 V, corrente di -70 A, resistenza di 6,8 mΩ, canale P e packaging TO-252.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, motori, backup di alimentazione, droni, assistenza sanitaria, caricabatterie per auto, controller, elettronica, elettrodomestici e beni di consumo.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

Il MOSFET WSF70P02 è il dispositivo trench a canale P con elevate prestazioni e alta densità di celle.Offre RDSON e carica di gate eccezionali per la maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni.Il dispositivo soddisfa i requisiti RoHS e Green Product, è garantito al 100% EAS ed è stato approvato per la piena affidabilità delle funzioni.

Caratteristiche

Tecnologia Trench avanzata con elevata densità di celle, carica di gate estremamente bassa, eccellente riduzione dell'effetto CdV/dt, garanzia EAS al 100% e opzioni per dispositivi rispettosi dell'ambiente.

Applicazioni

Sincrono punto di carico ad alta frequenza, convertitore buck per MB/NB/UMPC/VGA, sistema di alimentazione CC-CC di rete, interruttore di carico, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, alimentatori di emergenza, droni, assistenza medica, caricabatterie per auto , controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo.

numero materiale corrispondente

AOS

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione		Unità
		10 secondi	Stato stazionario
VDS	Tensione Drain-Source	-20		V
VGS	Tensione gate-source	±12		V
ID@TC=25℃	Corrente di scarico continua, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	Corrente di scarico continua, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Corrente di scarico pulsata2	-200		A
EAS	Energia da valanga a impulso singolo3	360		mJ
IAS	Corrente di valanga	-55,4		A
PD@TC=25℃	Dissipazione di potenza totale4	80		W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 150		℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 150		℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=-4,5 V, ID=-15 A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS(ON)						mΩ
		VGS=-2,5 V, ID=-10 A	---	8.2	11
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=-250uA	-0,4	-0,6	-1.2	V
		VGS=VDS, ID=-250uA
△VGS(esimo)	Coefficiente di temperatura VGS(th).		---	2.94	---	mV/℃
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=-20 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio					uA
		VDS=-20 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃	---	---	5
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transconduttanza diretta	VDS=-5V, ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Carica totale al gate (-4,5 V)	VDS=-15 V, VGS=-4,5 V, ID=-10 A	---	63	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	9.1	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	13	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=-10 V, VGS=-4,5 V, RG=3,3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Ora di alzarsi		---	77	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	195	---
Tf	Tempo di caduta		---	186	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=-10 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	5783	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	520	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	445	---