WSF6012 Canale N&P 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L MOSFET WINSOK

breve descrizione:

Numero di modello:WSF6012

BVDSS:60 V/-60 V

RDSON:28 mΩ/75 mΩ

ID:20A/-15A

Canale:Canale N&P

Pacchetto:TO-252-4L

Prodotto estivo:Il MOSFET WSF6012 ha un intervallo di tensione di 60 V e -60 V, può gestire correnti fino a 20 A e -15 A, ha una resistenza di 28 mΩ e 75 mΩ, presenta entrambi i canali N&P ed è confezionato in TO-252-4L.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, motori, backup di alimentazione, droni, assistenza sanitaria, caricabatterie per auto, controller, elettronica, elettrodomestici e beni di consumo.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

Il MOSFET WSF6012 è un dispositivo ad alte prestazioni con un design ad alta densità di celle.Fornisce un eccellente RDSON e una carica di gate adatta alla maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni.Inoltre, soddisfa i requisiti RoHS e Green Product e viene fornito con la garanzia EAS al 100% per la piena funzionalità e affidabilità.

Caratteristiche

Tecnologia Trench avanzata con elevata densità di celle, carica gate estremamente bassa, eccellente riduzione dell'effetto CdV/dt, garanzia EAS al 100% e opzioni del dispositivo rispettose dell'ambiente.

Applicazioni

Convertitore buck sincrono al punto di carico ad alta frequenza, sistema di alimentazione CC-CC di rete, interruttore di carico, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, alimentatori di emergenza, droni, assistenza sanitaria, caricabatterie per auto, controller, dispositivi digitali, piccoli elettrodomestici, ed elettronica di consumo.

numero materiale corrispondente

AOS AOD603A,

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione		Unità
Simbolo	Parametro	Canale N	Canale P	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	60	-60	V
VGS	Tensione gate-source	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1	20	-15	A
ID@TC=70℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	Corrente di scarico pulsata2	46	-36	A
EAS	Energia da valanga a impulso singolo3	200	180	mJ
IAS	Corrente di valanga	59	-50	A
PD@TC=25℃	Dissipazione di potenza totale4	34.7	34.7	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 150	da -55 a 150	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 150	da -55 a 150	℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=10 V, ID=8 A	---	28	37	mΩ
RDS(ON)		VGS=4,5 V, ID=5 A	---	37	45	mΩ
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=250uA	1	---	2.5	V
△VGS(esimo)	Coefficiente di temperatura VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±20 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconduttanza diretta	VDS=5V, ID=8A	---	21	---	S
Rg	Resistenza al cancello	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	Carica totale al gate (4,5 V)	VDS=48 V, VGS=4,5 V, ID=8 A	---	12.6	20	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	3.5	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	6.3	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=30 V, VGS=4,5 V, RG=3,3Ω, ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Ora di alzarsi		---	14.2	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	24.6	---
Tf	Tempo di caduta		---	4.6	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	670	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	70	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	35	---