WSF6012 Canale N&P 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L MOSFET WINSOK
Descrizione generale
Il MOSFET WSF6012 è un dispositivo ad alte prestazioni con un design ad alta densità di celle. Fornisce un eccellente RDSON e una carica di gate adatta alla maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni. Inoltre, soddisfa i requisiti RoHS e Green Product e viene fornito con la garanzia EAS al 100% per la piena funzionalità e affidabilità.
Caratteristiche
Tecnologia Trench avanzata con elevata densità di celle, carica gate estremamente bassa, eccellente riduzione dell'effetto CdV/dt, garanzia EAS al 100% e opzioni del dispositivo rispettose dell'ambiente.
Applicazioni
Convertitore buck sincrono al punto di carico ad alta frequenza, sistema di alimentazione CC-CC di rete, interruttore di carico, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, alimentatori di emergenza, droni, assistenza sanitaria, caricabatterie per auto, controller, dispositivi digitali, piccoli elettrodomestici, ed elettronica di consumo.
numero materiale corrispondente
AOS AOD603A,
Parametri importanti
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità | |
| Canale N | Canale P | |||
| VDS | Tensione Drain-Source | 60 | -60 | V |
| VGS | Tensione gate-source | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Corrente di scarico pulsata2 | 46 | -36 | A |
| EAS | Energia da valanga a impulso singolo3 | 200 | 180 | mJ |
| IAS | Corrente di valanga | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipazione di potenza totale4 | 34.7 | 34.7 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | da -55 a 150 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0 V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficiente di temperatura BVDSS | Riferimento a 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2 | VGS=10 V, ID=8 A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS=4,5 V, ID=5 A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, ID=250uA | 1 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(esimo) | Coefficiente di temperatura VGS(th). | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconduttanza diretta | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Resistenza al cancello | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.0 | 4.5 | Ω |
| Qg | Carica totale al gate (4,5 V) | VDS=48 V, VGS=4,5 V, ID=8 A | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 6.3 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=30 V, VGS=4,5 V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Tempo di salita | --- | 14.2 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 24.6 | --- | ||
| Tf | Tempo d'autunno | --- | 4.6 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 670 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 70 | --- | ||
| Crs | Capacità di trasferimento inverso | --- | 35 | --- |
