WSF4022 MOSFET WINSOK doppio canale N 40V 20A TO-252-4L
Descrizione generale
Il WSF4022 è il doppio MOSFET N-Ch trench dalle prestazioni più elevate con una densità di celle estremamente elevata, che fornisce un eccellente RDSON e carica di gate per la maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni. Il WSF4022 soddisfa i requisiti RoHS e di prodotto ecologico 100% EAS garantito con funzionalità complete affidabilità approvata.
Caratteristiche
Per ponte H pre-driver della ventola, controllo motore, rettifica sincrona, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, alimentatori di emergenza, droni, assistenza medica, caricabatterie per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo.
Applicazioni
Per ponte H pre-driver della ventola, controllo motore, rettifica sincrona, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, alimentatori di emergenza, droni, assistenza medica, caricabatterie per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo.
numero materiale corrispondente
AOS
Parametri importanti
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità | |
| VDS | Tensione Drain-Source | 40 | V | |
| VGS | Tensione gate-source | ±20 | V | |
| ID | Corrente di scarico (continua) *CA | TC=25°C | 20* | A |
| ID | Corrente di scarico (continua) *CA | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Corrente di scarico (continua) *CA | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Corrente di scarico (continua) *CA | TA=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Corrente di drenaggio pulsata | TC=25°C | 80* | A |
| EASb | Energia da valanga a impulso singolo | L=0,5 mH | 25 | mJ |
| IAS b | Corrente di valanga | L=0,5 mH | 17.8 | A |
| PD | Massima dissipazione di potenza | TC=25°C | 39.4 | W |
| PD | Massima dissipazione di potenza | TC=100°C | 19.7 | W |
| PD | Dissipazione di potenza | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Dissipazione di potenza | TA=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | 175 | ℃ | |
| TSTG | Temperatura operativa/Temperatura di stoccaggio | -55~175 | ℃ | |
| RθJA b | Resistenza termica Giunzione-Ambiente | Stato stazionario c | 60 | ℃/W |
| RθJC | Giunzione di resistenza termica al case | 3.8 | ℃/W |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| Statico | ||||||
| V(BR)DSS | Tensione di rottura drain-source | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 40 | V | ||
| IDSS | Corrente di assorbimento della tensione di gate zero | VDS = 32 V, VGS = 0 V | 1 | µA | ||
| IDSS | Corrente di assorbimento della tensione di gate zero | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | µA | ||
| IGSS | Corrente di dispersione del gate | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | ||
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS = VDS, IDS = 250μA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(acceso) d | Resistenza allo stato attivo della sorgente di drenaggio | VGS = 10 V, ID = 10 A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Caricatore del cancello | ||||||
| Qg | Addebito totale al cancello | VDS=20 V, VGS=4,5 V, ID=10 A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Tariffa gate-source | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | 2,75 | nC | |||
| Dinamica | ||||||
| Ciss | Capacità di ingresso | VGS=0 V, VDS=20 V, f=1 MHz | 815 | pF | ||
| Cos | Capacità di uscita | 95 | pF | |||
| Crs | Capacità di trasferimento inverso | 60 | pF | |||
| td (acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=20 V, VGEN=10 V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | Accendi il tempo di salita | 6.9 | ns | |||
| td(spento) | Tempo di ritardo nello spegnimento | 22.4 | ns | |||
| tf | Disattiva il tempo autunnale | 4.8 | ns | |||
| Diodo | ||||||
| VSDd | Tensione diretta del diodo | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Capacità di ingresso | IDS=10A, dlSD/dt=100A/μs | 13 | ns | ||
| Qrr | Capacità di uscita | 8.7 | nC | |||
