WSD80130DN56 MOSFET WINSOK 80V 130A DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD80130DN56 è 80 V, la corrente è 130 A, la resistenza è 2,7 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
Droni MOSFET, motori MOSFET, medical MOSFET, utensili elettrici MOSFET, ESC MOSFET.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 80 | V |
| VGS | Gate-Source tensione | ±20 | V |
| TJ | Temperatura massima di giunzione | 150 | °C |
| ID | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | °C |
| ID | Corrente di scarico continua, VGS=10V,TC=25°C | 130 | A |
| Corrente di scarico continua, VGS=10V,TC=70°C | 89 | A | |
| IDM | Corrente di scarico pulsata, TC=25°C | 400 | A |
| PD | Dissipazione di potenza massima, TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Giunzione a resistenza termica al case | 1.25 | °C |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficiente di temperatura | Riferimento a 25℃, IOD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=10V, ID=40A | --- | 2.7 | 3.6 | mΩ |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(esimo) | VGS(esimo)Coefficiente di temperatura | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Carica totale al gate (10 V) | VDS=30 V, VGS=10 V, ID=30A | --- | 48.6 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 17.5 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 10.4 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=30 V, VGS=10 V, RG=2,5Ω, IOD=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Ora di alzarsi | --- | 10 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 35 | --- | ||
| Tf | Tempo di caduta | --- | 12 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=25 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4150 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 471 | --- | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | --- | 20 | --- |
