WSD80120DN56 MOSFET WINSOK 85 V 120 A a canale N DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD80120DN56 è 85 V, la corrente è 120 A, la resistenza è 3,7 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
MOSFET di tensione medica, MOSFET per apparecchiature fotografiche, MOSFET per droni, MOSFET di controllo industriale, MOSFET 5G, MOSFET per elettronica automobilistica.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 85 | V |
| VGS | Gate-Source tensione | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V | 96 | A |
| IDM | Corrente di drenaggio pulsata..TC=25°C | 384 | A |
| EAS | Energia da valanga, impulso singolo, L=0,5 mH | 320 | mJ |
| IAS | Corrente da valanga, impulso singolo, L=0,5 mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipazione di potenza totale | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Dissipazione di potenza totale | 53 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 175 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | 175 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficiente di temperatura | Riferimento a 25℃, IOD=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico | VGS=10V,ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(esimo) | VGS(esimo)Coefficiente di temperatura | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=85 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±25 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Resistenza al cancello | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Carica totale al gate (10 V) | VDS=50 V, VGS=10 V, ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 11 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=50 V, VGS=10 V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Ora di alzarsi | --- | 18 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Tempo di caduta | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=40 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 395 | --- | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | --- | 180 | --- |
