WSD80100DN56 MOSFET WINSOK 80V 100A a canale N DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD80100DN56 è 80 V, la corrente è 100 A, la resistenza è 6,1 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
Droni MOSFET, motori MOSFET, elettronica automobilistica MOSFET, grandi elettrodomestici MOSFET.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS MOSFET a semiconduttore PDC7966X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 80 | V |
| VGS | Gate-Source tensione | ±20 | V |
| TJ | Temperatura massima di giunzione | 150 | °C |
| ID | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | °C |
| ID | Corrente di scarico continua, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Corrente di scarico continua, VGS=10V,TC=100°C | 80 | A | |
| IDM | Corrente di scarico pulsata, TC=25°C | 380 | A |
| PD | Dissipazione di potenza massima, TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Giunzione a resistenza termica al case | 0,8 | °C |
| EAS | Energia da valanga, impulso singolo, L=0,5 mH | 800 | mJ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficiente di temperatura | Riferimento a 25℃, IOD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=10V, ID=40A | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(esimo) | VGS(esimo)Coefficiente di temperatura | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconduttanza diretta | VDS=5V, ID=20A | 80 | --- | --- | S |
| Qg | Carica totale al gate (10 V) | VDS=30 V, VGS=10 V, ID=30A | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 30 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=30 V, VGS=10 V, RG=2,5Ω, IOD=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Ora di alzarsi | --- | 19 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 70 | --- | ||
| Tf | Tempo di caduta | --- | 30 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=25 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 410 | --- | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | --- | 315 | --- |
