WSD75N12GDN56 MOSFET WINSOK 120V 75A DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD75N12GDN56 è 120 V, la corrente è 75 A, la resistenza è 6 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
MOSFET per apparecchiature mediche, MOSFET per droni, MOSFET per alimentatori PD, MOSFET per alimentatori LED, MOSFET per apparecchiature industriali.
Campi di applicazione MOSFETWINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale del marchio
MOSFET AOS AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.MOSFET PANJIT PSMQC76N12LS1.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDSS | Tensione drain-source | 120 | V |
| VGS | Tensione gate-source | ±20 | V |
| ID | 1 Corrente di scarico continua (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Corrente di scarico continua (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Corrente di drenaggio pulsata | 320 | A |
| IAR | Corrente da valanga a singolo impulso | 40 | A |
| EAS | Energia da valanga a impulso singolo | 240 | mJ |
| PD | Dissipazione di potenza | 125 | W |
| TJ, Tstg | Giunzione operativa e intervallo di temperature di stoccaggio | da -55 a 150 | ℃ |
| TL | Temperatura massima per la saldatura | 260 | ℃ |
| RθJC | Resistenza termica, giunzione alla custodia | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Resistenza termica, giunzione-ambiente | 50 | ℃/W |
| Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| VDSS | Dallo scarico alla tensione di rottura della sorgente | VGS=0 V, ID=250 µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Scaricare la corrente di dispersione della sorgente | VDS = 120 V, VGS = 0 V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Perdita diretta dal gate alla sorgente | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Perdita inversa dal gate alla sorgente | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Tensione di soglia del gate | VDS=VGS, ID = 250μA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Resistenza On-Drain-to-Source | VGS=10 V, ID=20 A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Transconduttanza diretta | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Capacità di ingresso | VGS = 0 V VDS = 50 V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | -- | 429 | -- | pF | |
| Crs | Capacità di trasferimento inverso | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Resistenza del cancello | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ON) | Tempo di ritardo all'accensione | ID =20A VDS = 50V VGS = 10 V RG = 5 Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Ora di alzarsi | -- | 11 | -- | ns | |
| td(SPENTO) | Tempo di ritardo allo spegnimento | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Tempo di caduta | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Addebito totale al cancello | VGS = 0~10 V VDS = 50 VID=20A | -- | 61.4 | -- | nC |
| Qgs | Carica della fonte del gate | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Addebito per lo scarico del cancello | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Corrente diretta del diodo | TC =25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Corrente impulsiva del diodo | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Tensione diretta del diodo | IS=6,0 A, VGS=0 V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Tempo di recupero inverso | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Tassa di recupero inverso | -- | 250 | -- | nC |
