WSD75100DN56 MOSFET WINSOK 75V 100A DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD75100DN56 è 75 V, la corrente è 100 A, la resistenza è 5,3 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
MOSFET per sigarette elettroniche, MOSFET per ricarica wireless, MOSFET per droni, MOSFET per assistenza medica, MOSFET per caricabatterie per auto, MOSFET per controller, MOSFET per prodotti digitali, MOSFET per piccoli elettrodomestici, MOSFET per elettronica di consumo.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,MOSFET FAIRCHILD NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON, MOSFET IR BSC42NE7NS3G,BSC36NE7NS3G.POTENS MOSFET a semiconduttore PDC7966X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 75 | V |
| VGS | Gate-Source tensione | ±25 | V |
| TJ | Temperatura massima di giunzione | 150 | °C |
| ID | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | °C |
| IS | Corrente diretta continua del diodo, TC=25°C | 50 | A |
| ID | Corrente di scarico continua, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Corrente di scarico continua, VGS=10V,TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | Corrente di scarico pulsata, TC=25°C | 400 | A |
| PD | Dissipazione di potenza massima, TC=25°C | 155 | W |
| Dissipazione di potenza massima, TC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | Resistenza termica-giunzione all'ambiente ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Giunzione di resistenza termica all'ambiente, stato stazionario | 60 | °C | |
| RqJC | Giunzione a resistenza termica al case | 0,8 | °C |
| IAS | Corrente da valanga, impulso singolo, L=0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Energia da valanga, impulso singolo, L=0,5 mH | 225 | mJ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficiente di temperatura | Riferimento a 25℃, IOD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(esimo) | VGS(esimo)Coefficiente di temperatura | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconduttanza diretta | VDS=5V, ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Resistenza al cancello | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Carica totale al gate (10 V) | VDS=20 V, VGS=10 V, ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 17 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=30 V, VGEN=10 V, RG=1Ω, IOD=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Ora di alzarsi | --- | 14 | 26 | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Tempo di caduta | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=20 V, VGS=0V, f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Cos | Capacità di uscita | 245 | 395 | 652 | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | 100 | 195 | 250 |
