WSD60N12GDN56 Canale N 120V 70A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD60N12GDN56 è 120 V, la corrente è 70 A, la resistenza è 10 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
MOSFET per apparecchiature mediche, MOSFET per droni, MOSFET per alimentatori PD, MOSFET per alimentatori LED, MOSFET per apparecchiature industriali.
Campi di applicazione MOSFETWINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale del marchio
MOSFET AOS AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS MOSFET a semiconduttore PDC974X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 120 | V |
| VGS | Tensione gate-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di scarico continua | 70 | A |
| IDP | Corrente di drenaggio pulsata | 150 | A |
| EAS | Energia da valanga, impulso singolo | 53,8 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Dissipazione di potenza totale | 140 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 120 | --- | --- | V |
| Resistenza on-source di drenaggio statico | VGS=10 V, ID=10 A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS=4,5 V, ID=10 A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=250uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Carica totale al gate (10 V) | VDS=50 V, VGS=10 V, ID=25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=50 V, VGS=10 V, RG=2Ω, ID=25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Ora di alzarsi | --- | 10 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Tempo di caduta | --- | 112 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=50 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 330 | --- | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | --- | 11 | --- | ||
| IS | Corrente di sorgente continua | VG=VD=0 V, corrente forzata | --- | --- | 50 | A |
| ISP | Corrente di sorgente pulsata | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Tensione diretta del diodo | VGS=0V, IS=12A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Tempo di recupero inverso | SE=25A,dI/dt=100A/μs,TJ=25℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Tassa di recupero inverso | --- | 135 | --- | nC |
