WSD60N10GDN56 MOSFET WINSOK 100V 60A DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD60N10GDN56 è 100 V, la corrente è 60 A, la resistenza è 8,5 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
MOSFET per sigarette elettroniche, MOSFET per ricarica wireless, MOSFET per motori, MOSFET per droni, MOSFET per assistenza medica, MOSFET per caricabatterie per auto, MOSFET per controller, MOSFET per prodotti digitali, MOSFET per piccoli elettrodomestici, MOSFET per elettronica di consumo.
Campi di applicazione MOSFETWINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale del marchio
MOSFET AOS AON6226, AON6294, AON6298, AONS6292, AONS6692, AONS66923.Onsemi, MOSFET FAIRCHILD NTMFS6B14N. MOSFET VISHAY SiR84DP, SiR87ADP.INFINEON, MOSFET IR BSC19N1NS3G. MOSFET TOSHIBA TPH6R3ANL, MOSFET TPH8R8ANH.PANJIT PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semiconduttore MOSFET PDC92X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 100 | V |
| VGS | Tensione gate-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di scarico continua | 60 | A |
| IDP | Corrente di drenaggio pulsata | 210 | A |
| EAS | Energia da valanga, impulso singolo | 100 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Dissipazione di potenza totale | 125 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| Resistenza on-source di drenaggio statico | VGS=10 V, ID=10 A. | --- | 8.5 | 10.0 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS=4,5 V, ID=10 A. | --- | 9.5 | 12.0 | mΩ | |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Carica totale al gate (10 V) | VDS=50 V, VGS=10 V, ID=25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=50 V, VGS=10 V,RG=2,2Ω, ID=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Tempo di salita | --- | 5 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | Tempo d'autunno | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=50 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 362 | --- | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Corrente di sorgente continua | VG=VD=0 V, corrente forzata | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Corrente di sorgente pulsata | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Tensione diretta del diodo | VGS=0V, IS=12A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Tempo di recupero inverso | SE=12A,dI/dt=100A/μs,TJ=25℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | Tassa di recupero inverso | --- | 106.1 | --- | nC |
