WSD6060DN56 MOSFET WINSOK 60V 65A DFN5X6-8

WSD6060DN56 MOSFET WINSOK a canale N 60 V 65 A DFN5X6-8 Immagine in evidenza

breve descrizione:

Numero di parte:WSD6060DN56

BVDSS:60 V

ID:65A

RDSON:7,5 mΩ

Canale:Canale N

Pacchetto:DFN5X6-8

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK

La tensione del MOSFET WSD6060DN56 è 60 V, la corrente è 65 A, la resistenza è 7,5 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.

Aree di applicazione del MOSFET WINSOK

MOSFET per sigarette elettroniche, MOSFET per ricarica wireless, MOSFET per motori, MOSFET per droni, MOSFET per assistenza medica, MOSFET per caricabatterie per auto, MOSFET per controller, MOSFET per prodotti digitali, MOSFET per piccoli elettrodomestici, MOSFET per elettronica di consumo.

WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca

MOSFET STMicroelectronics STL5DN6F7.MOSFET PANJIT PSMQC73N6NS1.POTENS MOSFET a semiconduttore PDC696X.

Parametri MOSFET

Simbolo	Parametro		Valutazione	Unità
Valutazioni comuni
VDSS	Tensione Drain-Source		60	V
VGSS	Tensione gate-source		±20	V
T_J	Temperatura massima di giunzione		150	°C
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione		da -55 a 150	°C
I_S	Corrente diretta continua del diodo	T_c=25°C	30	A
ID	Corrente di scarico continua	T_c=25°C	65	A
ID	Corrente di scarico continua	T_c=70°C	42	A
Io DM b	Corrente di assorbimento a impulsi testata	T_c=25°C	250	A
P_D	Massima dissipazione di potenza	T_c=25°C	62,5	W
P_D	Massima dissipazione di potenza	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Giunzione a resistenza termica al piombo	Stato stazionario	2.1	°C/W
RqJA	Resistenza termica-giunzione all'ambiente	t £ 10 secondi	45	°C/W
RqJA	Resistenza termica-giunzione all'ambiente	Stato stazionario^b	50	°C/W
IO AS^d	Corrente di valanga, impulso singolo	L=0,5 mH	18	A
E AS d	Energia da valanga, impulso singolo	L=0,5 mH	81	mJ

Simbolo	Parametro	Condizioni di prova		minimo	Tip.	Massimo.	Unità
Caratteristiche statiche
BV_DSS	Tensione di rottura drain-source	V_GS=0V, I_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Corrente di assorbimento della tensione di gate zero	V_DS=48 V, V_GS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Corrente di assorbimento della tensione di gate zero						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	V_DS=V_GS, IO_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Corrente di dispersione del gate	V_GS=±20 V, V_DS=0V		-	-	±100	nA
RDS(ON) 3	Resistenza allo stato attivo della sorgente di drenaggio	V_GS=10V, I_DS=20A		-	7.5	10	m W
RDS(ON) 3	Resistenza allo stato attivo della sorgente di drenaggio	V_GS=4,5 V, I_DS=15A		-	10	15	m W
Caratteristiche dei diodi
VSD	Tensione diretta del diodo	I_SD=1A, V_GS=0V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Tempo di recupero inverso	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/μs		-	42	-	ns
Q_rr	Tassa di recupero inverso	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/μs		-	36	-	nC
Caratteristiche dinamiche^3,4
R_G	Resistenza al cancello	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Capacità di ingresso	V_GS=0 V, V_DS=30 V, F=1,0 MHzΩ		-	1340	-	pF
C_oss	Capacità di uscita			-	270	-
C_RSS	Capacità di trasferimento inverso			-	40	-
td(ON)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=30 V, IDS=1 A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Accendi il tempo di salita			-	6	-
td(DISATTIVATO)	Tempo di ritardo allo spegnimento			-	33	-
t_f	Disattiva il tempo autunnale			-	30	-
Caratteristiche della carica di gate ^3,4
Q_g	Addebito totale al cancello	V_DS=30 V, V_GS=4,5 V, I_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Addebito totale al cancello	V_DS=30 V, V_GS=10 V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Addebito soglia			-	4.1	-
Q_gs	Tariffa gate-source			-	5	-
Q_gd	Tassa di scarico del gate			-	4.2	-