WSD6040DN56 MOSFET WINSOK 60V 36A a canale N DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD6040DN56 è 60 V, la corrente è 36 A, la resistenza è 14 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
MOSFET per sigarette elettroniche, MOSFET per ricarica wireless, MOSFET per motori, MOSFET per droni, MOSFET per cure mediche, MOSFET per caricabatterie per auto, MOSFET per controller, MOSFET per prodotti digitali, MOSFET per piccoli elettrodomestici, MOSFET per elettronica di consumo.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS MOSFET a semiconduttore PDC6964X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità | ||
| VDS | Tensione Drain-Source | 60 | V | ||
| VGS | Tensione gate-source | ±20 | V | ||
| ID | Corrente di scarico continua | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Corrente di scarico continua | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Corrente di drenaggio pulsata | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Massima dissipazione di potenza | TC=25°C | 37.8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Massima dissipazione di potenza | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Corrente di valanga, impulso singolo | L=0,5 mH | 16 | A | |
| EASc | Energia da valanga a impulso singolo | L=0,5 mH | 64 | mJ | |
| IS | Corrente diretta continua del diodo | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Temperatura massima di giunzione | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Resistenza termica Giunzione all'ambiente | Stato stazionario | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Giunzione a resistenza termica al case | Stato stazionario | 3.3 | ℃/W | |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità | |
| Statico | |||||||
| V(BR)DSS | Tensione di rottura drain-source | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Corrente di assorbimento della tensione di gate zero | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Corrente di dispersione del gate | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | |||
| Sulle caratteristiche | |||||||
| VGS(TH) | Tensione di soglia del gate | VGS = VDS, IDS = 250μA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(acceso)d | Resistenza allo stato attivo della sorgente di drenaggio | VGS = 10 V, ID = 25 A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Commutazione | |||||||
| Qg | Addebito totale al cancello | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Carica acida | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | 9.6 | nC | ||||
| td (acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Accendi il tempo di salita | 9 | ns | ||||
| td(spento) | Tempo di ritardo nello spegnimento | 58 | ns | ||||
| tf | Disattiva il tempo autunnale | 14 | ns | ||||
| Rg | Resistenza all'attacco | VGS=0 V, VDS=0 V, f=1 MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dinamico | |||||||
| Ciss | Nella capacità | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Cos | Capacità fuori | 140 | pF | ||||
| Crs | Capacità di trasferimento inverso | 100 | pF | ||||
| Caratteristiche e valori nominali massimi dei diodi drain-source | |||||||
| IS | Corrente di sorgente continua | VG=VD=0V, corrente forzata | 18 | A | |||
| ISM | Corrente di sorgente pulsata3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Tensione diretta del diodo | ISD = 20 A, VGS = 0 V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tempo di recupero inverso | ISD=25A, dlSD/dt=100A/μs | 27 | ns | |||
| Qrr | Tassa di recupero inverso | 33 | nC | ||||
