WSD45N10GDN56 MOSFET WINSOK 100 V 45 A DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD45N10GDN56 è 100 V, la corrente è 45 A, la resistenza è 14,5 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
MOSFET per sigarette elettroniche, MOSFET per ricarica wireless, MOSFET per motori, MOSFET per droni, MOSFET per cure mediche, MOSFET per caricabatterie per auto, MOSFET per controller, MOSFET per prodotti digitali, MOSFET per piccoli elettrodomestici, MOSFET per elettronica di consumo.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS MOSFET a semiconduttore PDC966X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 100 | V |
| VGS | Gate-Source tensione | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V | 9.6 | A |
| IDMa | Corrente di drenaggio pulsata | 130 | A |
| EASb | Energia da valanga a impulso singolo | 169 | mJ |
| IASb | Corrente di valanga | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipazione di potenza totale | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Dissipazione di potenza totale | 5.0 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficiente di temperatura BVDSS | Riferimento a 25℃, IOD=1mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS(ON)d | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=10 V, ID=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(esimo) | VGS(esimo)Coefficiente di temperatura | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Resistenza al cancello | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qge | Carica totale al gate (10 V) | VDS=50 V, VGS=10 V, ID=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Tariffa gate-source | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Tassa di scarico del gate | --- | 12 | --- | ||
| Td(acceso)e | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=30 V, VGEN=10 V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Ora di alzarsi | --- | 9 | 17 | ||
| Td(spento)e | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 36 | 65 | ||
| È vero | Tempo di caduta | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Capacità di ingresso | VDS=30 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Capacità di uscita | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Capacità di trasferimento inverso | --- | 42 | --- |
