WSD4280DN22 Doppio canale P -15 V -4,6 A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD4280DN22 è -15 V, la corrente è -4,6 A, la resistenza è 47 mΩ, il canale è doppio canale P e il pacchetto è DFN2X2-6L.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
Interruttore di blocco bidirezionale; Applicazioni di conversione CC-CC; ricarica di batterie al litio; MOSFET per sigaretta elettronica, MOSFET di ricarica wireless, MOSFET di ricarica per auto, MOSFET di controller, MOSFET di prodotti digitali, MOSFET di piccoli elettrodomestici, MOSFET di elettronica di consumo.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET PANJIT PJQ2815
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | -15 | V |
| VGS | Tensione gate-source | ±8 | V |
| ID@Tc=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS= -4,5 V1 | -4.6 | A |
| IDM | Corrente di drenaggio pulsata 300μS, (VGS=-4,5 V) | -15 | A |
| PD | Declassamento della dissipazione di potenza sopra TA = 25°C (Nota 2) | 1.9 | W |
| TSTG,TJ | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Resistenza Termica Giunzione-ambiente1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | Custodia di giunzione con resistenza termica1 | 50 | ℃/W |
Caratteristiche elettriche (TJ=25 ℃, se non diversamente specificato)
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=-250uA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficiente di temperatura BVDSS | Riferimento a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=-4,5 V, ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1,8 V, ID=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=-250uA | -0,4 | -0,62 | -1.2 | V |
| △VGS(esimo) | VGS(esimo)Coefficiente di temperatura | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=-10 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±12 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconduttanza diretta | VDS=-5V, ID=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Resistenza al cancello | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | Carica totale del gate (-4,5 V) | VDS=-10 V, VGS=-4,5 V, ID=-4,6 A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=-10 V,VGS=-4,5 V, RG=1Ω ID=-3,9 A, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Tempo di salita | --- | 16 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Tempo d'autunno | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=-10 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 98 | --- | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | --- | 96 | --- |
