WSD4098 MOSFET WINSOK doppio canale N 40 V 22 A DFN5*6-8

breve descrizione:

Si tratta di un power bank wireless magnetico che riconosce automaticamente i telefoni Apple e non richiede l'attivazione di pulsanti.Integra i protocolli di ricarica rapida di ingresso e uscita 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC.Si tratta di un prodotto power bank wireless compatibile con i convertitori boost/step-down sincroni per telefoni cellulari Apple/Samsung, la gestione della ricarica della batteria Li, l'indicazione digitale dell'alimentazione del tubo, la ricarica wireless magnetica e altre funzioni.

Numero di modello:WSD4098

BVDSS:40 V

RDSON:7,8 mΩ

ID:22A

Canale:Doppio canale N

Pacchetto:DFN5*6-8

Prodotto estivo:La tensione del MOSFET WSD4098 è 40 V, la corrente è 22 A, la resistenza è 7,8 mΩ, il canale è Dual N-Channel e il package è DFN5*6-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, droni, assistenza medica, caricabatterie per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

Il WSD4098DN56 è il MOSFET doppio N-Ch trench dalle prestazioni più elevate con densità di celle estremamente elevata, che fornisce RDSON e carica di gate eccellenti per la maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni.Il WSD4098DN56 soddisfa i requisiti RoHS e Green Product, EAS garantito al 100% con affidabilità completa delle funzioni approvata.

Caratteristiche

Tecnologia Trench avanzata ad alta densità di celle, Carica gate super bassa, Eccellente riduzione dell'effetto CdV/dt, EAS garantito al 100%, Dispositivo verde disponibile

Applicazioni

Sincrono punto di carico ad alta frequenza, convertitore buck per MB/NB/UMPC/VGA, sistema di alimentazione CC-CC di rete, interruttore di carico, sigarette elettroniche, ricarica wireless, motori, droni, assistenza medica, caricabatterie per auto, controller, digitale prodotti alimentari, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo.

numero materiale corrispondente

AOS AON6884

Parametri importanti

Simbolo	Parametro		Valutazione	Unità
Valutazioni comuni
VDSS	Tensione Drain-Source		40	V
VGSS	Tensione gate-source		±20	V
TJ	Temperatura massima di giunzione		150	°C
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione		da -55 a 150	°C
IS	Corrente diretta continua del diodo	TA=25°C	11.4	A
ID	Corrente di scarico continua	TA=25°C	22	A
ID	Corrente di scarico continua			A
		TA=70°C	22
Io DM b	Corrente di assorbimento a impulsi testata	TA=25°C	88	A
PD	Massima dissipazione di potenza	T. =25°C	25	W
PD	Massima dissipazione di potenza	TC=70°C	10	W
RqJL	Giunzione a resistenza termica al piombo	Stato stazionario	5	°C/W
RqJA	Resistenza termica-giunzione all'ambiente	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Resistenza termica-giunzione all'ambiente	Stato stazionario b	90	°C/W
Io AS d	Corrente di valanga, impulso singolo	L=0,5 mH	28	A
E AS d	Energia da valanga, impulso singolo	L=0,5 mH	39.2	mJ

Simbolo	Parametro	Condizioni di prova		minimo	Tip.	Massimo.	Unità
Caratteristiche statiche
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, IDS=250 mA		40	-	-	V
IDSS	Corrente di assorbimento della tensione di gate zero	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Corrente di assorbimento della tensione di gate zero						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Corrente di dispersione del gate	VGS=±20 V, VDS=0 V		-	-	±100	nA
RDS(ON) e	Resistenza allo stato attivo della sorgente di drenaggio	VGS=10 V, IDS=14 A		-	6.8	7.8	m W
RDS(ON) e	Resistenza allo stato attivo della sorgente di drenaggio	VGS=4,5 V, IDS=12 A		-	9.0	11	m W
Caratteristiche dei diodi
VSD e	Tensione diretta del diodo	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Tempo di recupero inverso	ISD=20A, dlSD /dt=100A/μs		-	23	-	ns
Qrr	Tassa di recupero inverso	ISD=20A, dlSD /dt=100A/μs		-	13	-	nC
Caratteristiche dinamiche f
RG	Resistenza al cancello	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Capacità di ingresso	VGS=0V, VDS=20V, Frequenza=1,0 MHz		-	1370	1781	pF
Cos	Capacità di uscita			-	317	-
Crs	Capacità di trasferimento inverso			-	96	-
td(ON)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD = 20 V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Accendi il tempo di salita			-	8	-
td(DISATTIVATO)	Tempo di ritardo nello spegnimento			-	30	-
tf	Disattiva il tempo autunnale			-	21	-
Caratteristiche della carica gate f
Qg	Addebito totale al cancello	VDS=20 V, VGS=10 V, IDS=6 A		-	23	28	nC
Qg	Addebito totale al cancello	VDS=20 V, VGS=4,5 V, IDS=6 A		-	22	-
Qgth	Addebito soglia			-	2.6	-
Qgs	Tariffa gate-source			-	4.7	-
Qgd	Tassa di scarico del gate			-	3	-