WSD4076DN56 MOSFET WINSOK 40V 76A DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD4076DN56 è 40 V, la corrente è 76 A, la resistenza è 6,9 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
Piccoli elettrodomestici MOSFET, apparecchi portatili MOSFET, motori MOSFET.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET STMicroelectronics STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.
MOSFET PANJIT PJQ5442.
POTENS MOSFET a semiconduttore PDC496X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 40 | V |
| VGS | Gate-Source tensione | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V | 76 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V | 33 | A |
| IDM | Corrente di drenaggio pulsataa | 125 | A |
| EAS | Energia da valanga a impulso singolob | 31 | mJ |
| IAS | Corrente di valanga | 31 | A |
| PD@Ta=25℃ | Dissipazione di potenza totale | 1.7 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficiente di temperatura | Riferimento a 25℃, IOD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=10V, ID=12A | --- | 6.9 | 8.5 | mΩ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=4,5 V, ID=10A | --- | 10 | 15 | mΩ |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=250uA | 1.5 | 1.6 | 2.5 | V |
| △VGS(esimo) | VGS(esimo)Coefficiente di temperatura | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=32 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconduttanza diretta | VDS=5V, ID=20A | --- | 18 | --- | S |
| Rg | Resistenza al cancello | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.7 | --- | Ω |
| Qg | Carica totale al gate (10 V) | VDS=20 V, VGS=4,5 V, ID=12A | --- | 5.8 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 3.0 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 1.2 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=15 V, VGEN=10 V, RG=3,3Ω, IOD=1A. | --- | 12 | --- | ns |
| Tr | Ora di alzarsi | --- | 5.6 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 20 | --- | ||
| Tf | Tempo di caduta | --- | 11 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=15 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 680 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 185 | --- | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | --- | 38 | --- |
