WSD40200DN56G MOSFET WINSOK 40V 180A DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD40120DN56G è 40 V, la corrente è 120 A, la resistenza è 1,4 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
MOSFET per sigarette elettroniche, MOSFET per ricarica wireless, MOSFET per droni, MOSFET per assistenza medica, MOSFET per caricabatterie per auto, MOSFET per controller, MOSFET per prodotti digitali, MOSFET per piccoli elettrodomestici, MOSFET per elettronica di consumo.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS MOSFET a semiconduttore PDC496X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 40 | V |
| VGS | Gate-Source tensione | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V1 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V1 | 82 | A |
| IDM | Corrente di drenaggio pulsata2 | 400 | A |
| EAS | Energia da valanga a impulso singolo3 | 400 | mJ |
| IAS | Corrente di valanga | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipazione di potenza totale4 | 125 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficiente di temperatura | Riferimento a 25℃, IOD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.4 | 1.8 | mΩ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=4,5 V, ID=20A | --- | 2.0 | 2.6 | mΩ |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=250uA | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| △VGS(esimo) | VGS(esimo)Coefficiente di temperatura | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=32 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconduttanza diretta | VDS=5V, ID=20A | --- | 53 | --- | S |
| Rg | Resistenza al cancello | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Carica totale al gate (10 V) | VDS=15 V, VGS=10 V, ID=20A | --- | 45 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 12 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 18.5 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=15 V, VGEN=10 V, RG=3,3Ω, IOD=20A,RL=15Ω. | --- | 18.5 | --- | ns |
| Tr | Tempo di salita | --- | 9 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 58,5 | --- | ||
| Tf | Tempo d'autunno | --- | 32 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=20 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3972 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 1119 | --- | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | --- | 82 | --- |
