WSD4018DN22 Canale P -40 V -18 A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD4018DN22 è -40 V, la corrente è -18 A, la resistenza è 26 mΩ, il canale è a canale P e il pacchetto è DFN2X2-6L.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
Tecnologia Trench avanzata ad alta densità di celle, carica gate super bassa, eccellente riduzione dell'effetto Cdv/dt Dispositivo ecologico disponibile, MOSFET per apparecchiature di riconoscimento facciale, MOSFET per sigaretta elettronica, MOSFET per piccoli elettrodomestici, MOSFET per caricabatterie per auto.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON2409, MOSFET POTENS PDB3909L
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | -40 | V |
| VGS | Tensione gate-source | ±20 | V |
| ID@Tc=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS@-10V1 | -18 | A |
| ID@Tc=70℃ | Corrente di scarico continua, VGS@-10V1 | -14.6 | A |
| IDM | Corrente di drenaggio pulsata 300μS, VGS=-4,5 V2 | 54 | A |
| PD@Tc=25℃ | Dissipazione di potenza totale3 | 19 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ |
Caratteristiche elettriche (TJ=25 ℃, se non diversamente specificato)
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficiente di temperatura BVDSS | Riferimento a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=-10 V, ID=-8,0 A | --- | 26 | 34 | mΩ |
| VGS=-4,5 V, ID=-6,0 A | --- | 31 | 42 | |||
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=-250uA | -1.0 | -1,5 | -3.0 | V |
| △VGS(esimo) | VGS(esimo)Coefficiente di temperatura | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=-40 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-40 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Carica totale al gate (-4,5 V) | VDS=-20 V, VGS=-10 V, ID=-1,5 A | --- | 27 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 2.5 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 6.7 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=-20 V, VGS=-10 V,RG=3Ω, RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
| Tr | Ora di alzarsi | --- | 11 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 54 | --- | ||
| Tf | Tempo di caduta | --- | 7.1 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=-20 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1560 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 116 | --- | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | --- | 97 | --- |
