WSD40110DN56G MOSFET WINSOK 40V 110A DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD4080DN56 è 40 V, la corrente è 85 A, la resistenza è 4,5 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
Piccoli elettrodomestici MOSFET, apparecchi portatili MOSFET, motori MOSFET.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.MOSFET PANJIT PJQ5442.POTENS MOSFET a semiconduttore PDC496X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 40 | V |
| VGS | Gate-Source tensione | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di scarico continua, VGS @ 10 V1 | 85 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente di scarico continua, VGS @ 10 V1 | 58 | A |
| IDM | Corrente di drenaggio pulsata2 | 100 | A |
| EAS | Energia da valanga a impulso singolo3 | 110,5 | mJ |
| IAS | Corrente di valanga | 47 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipazione di potenza totale4 | 52.1 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Resistenza termica Giunzione-Ambiente1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Custodia di giunzione con resistenza termica1 | 2.4 | ℃/W |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0 V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=10 V, ID=10 A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS=4,5 V, ID=5 A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconduttanza diretta | VDS=10 V, ID=5 A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Carica totale al gate (4,5 V) | VDS=20 V, VGS=4,5 V, ID=10 A | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 9.5 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=15V, VGS=10V RG=3,3Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Tempo di salita | --- | 8.8 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Tempo d'autunno | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 215 | --- | ||
| Crs | Capacità di trasferimento inverso | --- | 175 | --- | ||
| IS | Corrente di sorgente continua1,5 | VG=VD=0 V, corrente forzata | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Tensione diretta del diodo2 | VGS=0 V, IS=1 A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
