WSD30140DN56 MOSFET WINSOK 30 V 85 A a canale N DFN5*6-8

breve descrizione:

Numero di modello:WSD30140DN56

BVDSS:30 V

RDSON:1,7 mΩ

ID:85A

Canale:Canale N

Pacchetto:DFN5*6-8

Prodotto estivo:La tensione del MOSFET WSD30140DN56 è 30 V, la corrente è 85 A, la resistenza è 1,7 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è DFN5*6-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricabatterie wireless, droni, assistenza medica, caricabatterie per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo, ecc.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

Il WSD30140DN56 è il MOSFET a canale N trench dalle prestazioni più elevate con densità di celle molto elevata che fornisce RDSON e carica di gate eccellenti per la maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni. WSD30140DN56 è conforme alla RoHS e ai requisiti dei prodotti ecologici, garanzia EAS al 100%, affidabilità completa approvata.

Caratteristiche

Tecnologia Trench avanzata ad alta densità di celle, carica di gate ultra bassa, eccellente attenuazione dell'effetto CdV/dt, garanzia EAS al 100%, dispositivi ecologici disponibili

Applicazioni

Sincronizzazione del punto di carico ad alta frequenza, convertitori buck, sistemi di alimentazione DC-DC in rete, applicazioni per utensili elettrici, sigarette elettroniche, ricarica wireless, droni, assistenza medica, ricarica per auto, controller, prodotti digitali, piccoli elettrodomestici, elettronica di consumo

numero materiale corrispondente

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. SU NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXPPH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Parametri importanti

Simbolo	Parametro	Valutazione	Unità
VDS	Tensione Drain-Source	30	V
VGS	Tensione gate-source	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Corrente di scarico pulsata2	300	A
PD@TC=25℃	Dissipazione di potenza totale4	50	W
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	da -55 a 150	℃
TJ	Intervallo di temperatura della giunzione operativa	da -55 a 150	℃

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip.	Massimo.	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=1mA	---	0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Resistenza di accensione statica della sorgente di drenaggio2	VGS=10 V, ID=20 A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(ON)		VGS=4,5 V, ID=15 A		2.5	3.3	mΩ
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VGS=VDS, ID=250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio	VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente di dispersione gate-source	VGS=±20 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconduttanza diretta	VDS=5 V, ID=20 A	---	90	---	S
Qg	Carica totale al gate (4,5 V)	VDS=15 V, VGS=4,5 V, ID=20 A	---	26	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	9.5	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	11.4	---
Td(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Tempo di salita		---	6	---
Td(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	38,5	---
Tf	Tempo d'autunno		---	10	---
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz	---	3000	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	1280	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	160	---