WSD2090DN56 MOSFET WINSOK 20V 80A a canale N DFN5*6-8

WSD2090DN56 MOSFET WINSOK a canale N 20 V 80 A DFN5*6-8 Immagine in evidenza

breve descrizione:

Numero di modello:WSD2090DN56

BVDSS:20 V

RDSON:2,8 mΩ

ID:80A

Canale:Canale N

Pacchetto:DFN5*6-8

Prodotto estivo:La tensione del MOSFET WSD2090DN56 è 20 V, la corrente è 80 A, la resistenza è 2,8 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è DFN5*6-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, droni, utensili elettrici, pistole a fascia, PD, piccoli elettrodomestici, ecc.

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Dettagli del prodotto

Applicazione

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Descrizione generale

Il WSD2090DN56 è il MOSFET N-Ch trench dalle prestazioni più elevate con densità di celle estremamente elevata, che fornisce RDSON e carica di gate eccellenti per la maggior parte delle applicazioni di convertitori buck sincroni. Il WSD2090DN56 soddisfa i requisiti RoHS e Green Product, EAS garantito al 100% con affidabilità completa delle funzioni approvata.

Caratteristiche

Tecnologia Trench avanzata ad alta densità di celle, carica gate super bassa, eccellente riduzione dell'effetto CdV/dt, EAS garantito al 100%, dispositivo ecologico disponibile

Applicazioni

Interruttore, sistema di alimentazione, interruttore di carico, sigarette elettroniche, droni, utensili elettrici, pistole a fascia, PD, piccoli elettrodomestici, ecc.

numero materiale corrispondente

AOS AON6572

Parametri importanti

Valori massimi assoluti (TC=25℃se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Massimo.	Unità
VDSS	Tensione Drain-Source	20	V
VGSS	Tensione gate-source	±12	V
ID@TC=25℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1	80	A
ID@TC=100℃	Corrente di scarico continua, VGS @ 10V1	59	A
IDM	Nota corrente di scarico pulsato1	360	A
EAS	Nota energetica da valanga a singolo impulso2	110	mJ
PD	Dissipazione di potenza	81	W
RθJA	Resistenza termica, giunzione al case	65	℃/W
RθJC	Custodia di giunzione per resistenza termica 1	4	℃/W
TJ, TSTG	Intervallo di temperatura operativa e di conservazione	da -55 a +175	℃

Caratteristiche elettriche (TJ=25 ℃, se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Condizioni	minimo	Tip	Massimo	Unità
BVDSS	Tensione di rottura drain-source	VGS=0 V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficiente di temperatura BVDSS	Riferimento a 25℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
VGS(esimo)	Tensione di soglia del gate	VDS=VGS, ID=250μA	0,50	0,65	1.0	V
RDS(ON)	Resistenza on-source di drenaggio statico	VGS=4,5 V, ID=30 A	---	2.8	4.0	mΩ
RDS(ON)	Resistenza on-source di drenaggio statico	VGS=2,5 V, ID=20 A	---	4.0	6.0	mΩ
IDSS	Corrente di assorbimento della tensione di gate zero	VDS=20V,VGS=0V	---	---	1	μA
IGSS	Corrente di dispersione del corpo del gate	VGS=±10 V, VDS=0 V	---	---	±100	nA
Ciss	Capacità di ingresso	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	3200	---	pF
Cos	Capacità di uscita		---	460	---
Crs	Capacità di trasferimento inverso		---	446	---
Qg	Addebito totale al cancello	VGS=4,5 V, VDS=10 V, ID=30 A	---	11.05	---	nC
Qgs	Tariffa gate-source		---	1.73	---
Qgd	Tassa di scarico del gate		---	3.1	---
tD(acceso)	Tempo di ritardo all'accensione	VGS=4,5 V, VDS=10 V, ID=30ARGEN=1,8Ω	---	9.7	---	ns
tr	Accendi il tempo di salita		---	37	---
tD(spento)	Tempo di ritardo allo spegnimento		---	63	---
tf	Orario di caduta spegnimento		---	52	---
VSD	Tensione diretta del diodo	IS=7,6 A, VGS=0 V	---	---	1.2	V