WSD20100DN56 MOSFET WINSOK 20V 90A DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD20100DN56 è 20 V, la corrente è 90 A, la resistenza è 1,6 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
Sigarette elettroniche MOSFET, droni MOSFET, utensili elettrici MOSFET, pistole fascia MOSFET, PD MOSFET, piccoli elettrodomestici MOSFET.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON6572.
POTENS MOSFET a semiconduttore PDC394X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 20 | V |
| VGS | Tensione gate-source | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di scarico continua1 | 90 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente di scarico continua1 | 48 | A |
| IDM | Corrente di drenaggio pulsata2 | 270 | A |
| EAS | Energia da valanga a impulso singolo3 | 80 | mJ |
| IAS | Corrente di valanga | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipazione di potenza totale4 | 83 | W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Resistenza Termica Giunzione-ambiente1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Resistenza Termica Giunzione-ambiente1(Stato stazionario) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Custodia di giunzione per resistenza termica1 | 1.5 | ℃/W |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip | Massimo | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0 V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, ID=250uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=10 V, ID=20 A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=4,5 V, ID=20 A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=2,5 V, ID=20 A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=16 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16 V, VGS=0 V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±10 V, VDS=0 V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Resistenza al cancello | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Carica totale al gate (10 V) | VDS=15 V, VGS=10 V, ID=20 A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 14 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Tempo di salita | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Tempo d'autunno | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=10 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 501 | --- | ||
| Crs | Capacità di trasferimento inverso | --- | 321 | --- | ||
| IS | Corrente di sorgente continua1,5 | VG=VD=0 V, corrente forzata | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Tensione diretta del diodo2 | VGS=0 V, IS=1 A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Tempo di recupero inverso | SE=20A , di/dt=100A/μs , TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Tassa di recupero inverso | --- | 72 | --- | nC |
